(PDF) KDV350F Datasheet - SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Número de pieza	KDV350F
Descripción	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
Fabricantes	KEC
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No Preview Available ! SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA VCO FOR UHF/VHF BAND. FEATURES High Capacitance Ratio : C1V/C4V=2.8 (Min.) Low Series Resistance. : rS=0.5 (max.) Good C-V linearity. KDV350F VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE CATHODE MARK 21 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range VR Tj Tstg RATING 15 150 -55 150 UNIT V B A 1. ANODE 2. CATHODE DIM A B C D E F MILLIMETERS 1.00+_ 0.05 0.80+0.10/-0.05 0.60+_ 0.05 0.30+_ 0.05 0.40 MAX 0.13+_ 0.05 Marking Type Name TFSC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL Reverse Current IR1 IR2 Capacitance C1V C4V Capacitance Ratio C1V/C4V Series Resistance rS TEST CONDITION VR=15V VR=15V, Ta=60 VR=1V, f=1MHz VR=4V, f=1MHz - VR=1V, f=470MHz MIN. - - 15.5 5.0 2.8 - TYP. - - - - - - MAX. 10 100 17.0 6.0 - 0.5 UNIT nA pF - 2004. 7. 14 Revision No : 0 1/2 1 page

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Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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