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HFT1N60F 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFT1N60F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFT1N60F 자료 제공

부품번호 HFT1N60F 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFT1N60F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFT1N60F 데이터시트, 핀배열, 회로
May 2015
HFT1N60F
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 1 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 3.7 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
SOT-223
2
3
1
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
Value
600
1*
0.6 *
4*
ρ30
33
1
0.2
2.1
0.02
-55 to +150
300
* Drain current limited by maximum junction temperature
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJA
Parameter
Junction-to-Ambient *
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
Max.
60
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΪ͑ͣͦ͑͢͡




HFT1N60F pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
 Note :
1. VGS = 0 V
2. I = 250PA
D
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
101 Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 Ps
100
100 Ps
1 ms
10 ms
100 ms
10-1 1 s
DC
10-2
10-3
100
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
VVDS,, DDrraaiinn--SSoouurrcceeVVooltltaaggee[[VV]]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. VGS = 10 V
2. ID = 0.5 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
102
D=0.5
101 0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
10-1
10-5
10-4
* Notes :
1. ZTJL(t) = 60 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t /t
12
3. TJM - TL = PDM * ZTJL(t)
PDM
single pulse
t1
t2
10-3
10-2
10-1
100
101
102
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
103
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΪ͑ͣͦ͑͢͡

4페이지










HFT1N60F 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
zv{TYYZG
Symbol
A
C
D
E
I
H
B
J
1
2
3
4
5
Dimension [mm]
Reference Tolerance
7 ρ0.3
3 ρ0.1
0.06 ρ0.04
5Û ρ5Û
0.7 ρ0.1
0.3 ρ0.05
13Û7<3
2.3 REF.
6.5 ρ0.2
6.5 ρ0.2
3.5 ρ0.2
3.5 ρ0.2
1.6 ρ0.2
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝;ΒΪ͑ͣͦ͑͢͡

7페이지


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