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HFT1N60S 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFT1N60S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFT1N60S 자료 제공

부품번호 HFT1N60S 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFT1N60S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFT1N60S 데이터시트, 핀배열, 회로
Dec 2009
HFT1N60S
600V N-Channel MOSFET
BVDSS = 600 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 0.2 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
SOT-223
2
3
1
1.Gate 2. Drain 3. Source
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
600
0.2
0.12
0.8
ρ30
33
0.2
0.2
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
2.1
0.02
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJA
Parameter
Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
Max.
60
Units
/W
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝͵ΖΔ͑ͣͪ͡͡




HFT1N60S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. V = 10 V
GS
2. ID = 0.1 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
25
50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝͵ΖΔ͑ͣͪ͡͡

4페이지










HFT1N60S 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
zv{TYYZ
Symbol
A
C
D
E
I
H
B
J
1
2
3
4
5
Dimension [mm]
Reference Tolerance
7 ρ0.3
3 ρ0.1
0.06 ρ0.04
5Û ρ5Û
0.7 ρ0.1
0.3 ρ0.05
13Û7<3
2.3 REF.
6.5 ρ0.2
6.5 ρ0.2
3.5 ρ0.2
3.5 ρ0.2
1.6 ρ0.2
క ΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͡͝͵ΖΔ͑ͣͪ͡͡

7페이지


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