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HRU120N10K 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HRU120N10K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HRU120N10K 자료 제공

부품번호 HRU120N10K 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HRU120N10K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HRU120N10K 데이터시트, 핀배열, 회로
HRD120N10K / HRU120N10K
100V N-Channel Trench MOSFET
FEATURES
Originative New Design
Superior Avalanche Rugged Technology
Excellent Switching Characteristics
Unrivalled Gate Charge : 65 nC (Typ.)
Extended Safe Operating Area
Lower RDS(ON) : 10 (Typ.) @VGS=10V
100% Avalanche Tested
December 2014
BVDSS = 100 V
RDS(on) typ = 10
ID = 73 A
D-PAK I-PAK
2
1
3
HRD120N10K
1
2
3
HRU120N10K
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
PD
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Power Dissipation (TA = 25)*
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
100
73 *
51 *
200 *
±25
265
11
3
110
0.73
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
-55 to +175
300
* Drain current limited by maximum junction temperature
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
W
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RθJC
RθJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient*
RθJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
1.4
50
110
Units
/W
SEMIHOW REV.A0,December 2014




HRU120N10K pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
Note :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250µA
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
103
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
102 100 us
1 ms
10 ms
101
DC
100
10-1
10-1
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 175 oC
3. Single Pulse
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. VGS = 10 V
2. I = 40 A
D
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
80
60
40
20
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
175
100
D=0.5
0.2
0.1
* Notes :
1. ZθJC(t) = 1.4 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
ZθJC(t)
10-1 0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
single pulse
PDM
t1
t2
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t , Square Wave Pulse Duration [sec]
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
SEMIHOW REV.A0,December 2014

4페이지










HRU120N10K 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-252
(Ass’y GZSM)
SEMIHOW REV.A0,December 2014

7페이지


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