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부품번호 | KDR729 기능 |
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기능 | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES
Low Forward Voltage : VF(4)=0.43V(Typ.)
IO=200mA rectification possible.
Small Package : USC.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Maximum (Peak) Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum (Peak) Forward Current
Average Forward Current
Surge Current (10ms)
Power Dissipation
VRM
VR
IFM
IO
IFSM
PD
30
30
300
200
1
200*
Junction Temperature
Tj 125
Storage Temperature Range
Tstg -55 125
* : Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20mm,
pad dimension of 4 4mm.
UNIT
V
V
mA
mA
A
mW
KDR729
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
B
1
2
D
MM
1. ANODE
2. CATHODE
G
H
J
C
I
DIM MILLIMETERS
A 2.50+_ 0.2
B 1.25+_ 0.05
C 0.90+_ 0.05
D 0.30 +_ 0.06
E 1.70 +_ 0.05
F 0.27 +_ 0.10
G 0.126+_ 0.03
H 0~0.1
I 1.0 MAX
J 0.15+_ 0.05
K 0.4
L 2 +4/-2
M 4~6
USC
Marking
UM
Type Name
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
VF(1)
Forward Voltage
Reverse Current
VF(2)
VF(3)
VF(4)
IR
Total Capacitance
CT
TEST CONDITION
IF=1mA
IF=10mA
IF=100mA
IF=200mA
VR=30V
VR=0V, f=1MHz
MIN.
-
-
-
-
-
-
TYP.
0.22
0.29
0.38
0.43
-
50
MAX.
-
-
-
0.55
50
-
UNIT
V
A
pF
2014. 3. 31
Revision No : 7
1/2
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KDR720E | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE | KEC |
KDR720F | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE | KEC |
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