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STP12N50M2 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 STP12N50M2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STP12N50M2 자료 제공

부품번호 STP12N50M2 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


STP12N50M2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP12N50M2 데이터시트, 핀배열, 회로
STP12N50M2
N-channel 500 V, 0.325 typ.,10 A MDmesh II Plus™ low Qg
Power MOSFET in a TO-220 package
Datasheet - preliminary data
7$%
72
 
Features
Order code
STP12N50M2
VDS
500 V
RDS(on) max ID
0.38 Ω 10 A
Extremely low gate charge
Lower RDS(on) x area vs previous generation
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
Figure 1. Internal schematic diagram
, TAB
Applications
Switching applications
Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using a new generation of MDmesh™
technology: MDmesh II Plus™ low Qg. This
revolutionary Power MOSFET associates a
vertical structure to the company's strip layout to
yield one of the world's lowest on-resistance and
gate charge. It is therefore suitable for the most
demanding high efficiency converters.
AM15572v1
Order code
STP12N50M2
.
Table 1. Device summary
Marking
Package
12N50M2
TO-220
Packaging
Tube
June 2014
DocID026516 Rev 1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
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www.st.com




STP12N50M2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STP12N50M2
(TC = 25 °C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Table 5. On /off states
Test conditions
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
ID = 1 mA, VGS = 0
Zero gate voltage
IDSS
drain current
IGSS
Gate-body leakage
current
VGS = 0, VDS = 500 V
VGS = 0, VDS = 500 V,
TC=125 °C
VDS = 0, VGS = ± 25 V
VGS(th)
RDS(on)
Gate threshold voltage VDS = VGS, ID = 250 μA
Static drain-source
on-resistance
VGS = 10 V, ID = 5 A
Min. Typ. Max. Unit
500 V
1 μA
100 μA
±10 μA
2 3 4V
0.325 0.38 Ω
Symbol
Parameter
Table 6. Dynamic
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
Ciss
Coss
Crss
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VGS = 0, VDS = 100 V,
f = 1 MHz
- 560 - pF
- 33 - pF
- 1 - pF
(1) Equivalent output
Coss eq. capacitance
VGS = 0, VDS = 0 to 400 V
- 125 - pF
Intrinsic gate
RG resistance
f = 1 MHz open drain
- 6.8 - Ω
Qg Total gate charge
VDD = 400 V, ID = 10 A,
Qgs Gate-source charge VGS = 10 V (see Figure 15)
Qgd Gate-drain charge
- 15 - nC
- 3 - nC
- 8.3 - nC
1. Coss eq. is defined as a constant equivalent capacitance giving the same charging time as Coss when VDS
increases from 0 to 80% VDSS
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STP12N50M2 전자부품, 판매, 대치품
STP12N50M2
Electrical characteristics
Figure 8. Capacitance variations
&
S)
*,3*6$
Figure 9. Output capacitance stored energy
(RVV
—-
*,3*6$



&LVV
&RVV




 
&UVV
  9'6 9
Figure 10. Normalized gate threshold voltage vs
temperature
9*6 WK
QRUP

*,3*6$
,' —$




      
7- ƒ&
Figure 12. Normalized V(BR)DSS vs temperature
9 %5 '66
QRUP


*,3*6$
,' P$




      
7- ƒ&

      9'6 9
Figure 11. Normalized on-resistance vs
temperature
5'6 RQ
QRUP



9*6 9
*,3*6$







 

    7- ƒ&
Figure 13. Source-drain diode forward
characteristics
96' 9
*,3*6$

 7- ƒ&



7- ƒ&

7- ƒ&


      ,6' $
DocID026516 Rev 1
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