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PDTD143ET 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PDTD143ET은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PDTD143ET 자료 제공

부품번호 PDTD143ET 기능
기능 NPN resistor-equipped transistors
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PDTD143ET 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PDTD143ET 데이터시트, 핀배열, 회로
PDTD1xxxT series
500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors
Rev. 1 — 15 May 2014
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a small SOT23 (TO-236AB)
Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
Table 1. Product overview
Type number
Package
NXP
PDTD143ET
SOT23
PDTD143XT
PDTD114ET
JEITA
-
JEDEC
PNP
complement
TO-236AB PDTB143ET
PDTB143XT
PDTB114ET
Package
configuration
small
1.2 Features
500 mA output current capability
Built-in bias resistors
Simplifies circuit design
Reduces component count
10 % resistor ratio tolerance
AEC-Q101 qualified
High temperature applications
up to 175 °C
1.3 Applications
IC inputs control
Cost-saving alternative to BC807 or
BC817 series transistors in digital
applications
Switching loads




PDTD143ET pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PDTD1xxxT series
500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors
500
Ptot
(mW)
400
(1)
aaa-012834
300 (2)
200
100
0
-75 25 125 225
Tamb (°C)
(1) FR4 PCB, 4-layer copper, standard footprint
(2) FR4 PCB, single-sided copper, standard footprint.
Fig 1. Power derating curves
6. Thermal characteristics
Table 7.
Symbol
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to ambient
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 470 K/W
[2] - - 327 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
PDTD1XXXT_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 1 — 15 May 2014
© NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved.
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PDTD143ET 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
PDTD1xxxT series
500 mA, 50 V NPN resistor-equipped transistors
103
hFE
102
aaa-012442
(1)
(2)
(3)
10-1
VCEsat
(V)
aaa-012444
(1)
(2)
(3)
10
1
10-1
1
10 102 103
IC (mA)
VCE = 5 V
(1) Tamb = 100 C
(2) Tamb = 25 C
(3) Tamb = 40 C
Fig 4. PDTD143ET: DC current gain as a function of
collector current; typical values
10-2
1
10 102 103
IC (mA)
IC/IB = 20
(1) Tamb = 100 C
(2) Tamb = 25 C
(3) Tamb = 40 C
Fig 5.
PDTD143ET: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
102
VI(on)
(V)
10
1
(1)
(2)
(3)
aaa-012449
10
VI(off)
(V)
1
aaa-012573
(1)
(2)
(3)
10-1
10-1
1
10 102 103
IC (mA)
VCE = 0.3 V
(1) Tamb = 40 C
(2) Tamb = 25 C
(3) Tamb = 100 C
Fig 6. PDTD143ET: On-state input voltage as a
function of collector current; typical values
10-1
10-1
1 10
IC (mA)
VCE = 5 V
(1) Tamb = 40 C
(2) Tamb = 25 C
(3) Tamb = 100 C
Fig 7. PDTD143ET: Off-state input voltage as a
function of collector current; typical values
PDTD1XXXT_SER
Product data sheet
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Rev. 1 — 15 May 2014
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