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MMBD6050LT1 데이터시트 PDF




WEJ에서 제조한 전자 부품 MMBD6050LT1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMBD6050LT1 자료 제공

부품번호 MMBD6050LT1 기능
기능 MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE
제조업체 WEJ
로고 WEJ 로고


MMBD6050LT1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MMBD6050LT1 데이터시트, 핀배열, 회로
RoHS
MONOLITHIC DUAL SWITCHING DIODE
MMBD6050LT1
DABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25
Characteristic
Symbol Rating
TReverse Voltage
VR 70
.,LForward Current
IF 200
Peak Forward surge Current
IFM(surge)
500
Total Device Dissipation FR-5
PD
225
Board(Note)
ODerate above 25
1.8
Junction Temperature
Tj 150
CStorage Temperature
Tstg -55-150
Unit
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/
Package:SOT-23
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta=25
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
NReverse Breakdown Voltage(IR=100uAdc)
Reverse Voltage Leakage Current
V(BR)
75
Vdc
O(VR=50Vdc)
IR 0.1 uAdc
Diode Capacitance(VR=0 f=1.0MHz)
CT
PF
RForward Voltage
VF
Vdc
(IF=1.0mAdc)
0.55 0.7
T(IF=100mAdc)
0.85 1.1
Reverse Recovery Time(IF=IR=10mAdc)
Trr
2.5 ns
ECNote:FR-5=1.0 0.75 0.062in
DVICE MARKING:
WEJ ELMMBD6050LT1=5A
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:[email protected]





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