|
|
|
부품번호 | MPSA13 기능 |
|
|
기능 | SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTORS | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
MPSA12
MPSA13
MPSA14
SILICON
NPN DARLINGTON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPSA12 series
devices are silicon NPN Darlington transistors,
manufactured by the epitaxial planar process, designed
for applications requiring extremely high gain.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-92 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCES
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
JA
MPSA12 MPSA13 MPSA14
- 30 30
20 30 30
10
500
625
-65 to +150
200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C)
SYMBOL TEST CONDITIONS
ICBO
VCB=15V
ICBO
VCB=30V
ICES
VCE=15V
IEBO
VEB=10V
BVCES
IC=100μA
VCE(SAT) IC=10mA, IB=10μA
VCE(SAT) IC=100mA, IB=100μA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IB=10mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IB=100mA
hFE VCE=5.0V, IC=10mA
hFE VCE=5.0V, IC=100mA
fT VCE=5.0V, IC=10mA, f=100MHz
MPSA12
MIN MAX
- 100
--
- 100
- 100
20 -
- 1.0
--
- 1.4
--
20K -
--
--
MPSA13
MIN MAX
--
- 100
--
- 100
30 -
--
- 1.5
--
- 2.0
5K -
10K -
125 -
MPSA14
MIN MAX
--
- 100
--
- 100
30 -
--
- 1.5
--
- 2.0
10K -
20K -
125 -
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
R1 (18-March 2014)
| |||
구 성 | 총 3 페이지수 | ||
다운로드 | [ MPSA13.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
MPSA10 | NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) | Samsung |
MPSA113 | DARLINGTON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |