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SDF02N65 데이터시트 PDF




SamHop Microelectronics에서 제조한 전자 부품 SDF02N65은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SDF02N65 자료 제공

부품번호 SDF02N65 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 SamHop Microelectronics
로고 SamHop Microelectronics 로고


SDF02N65 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SDF02N65 데이터시트, 핀배열, 회로
Sa mHop Microelectronics C orp.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SDP02N65
SDF02N65
Ver 2.1
PRODUCT SUMMARY
VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max
650V
2A
5.6 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
TO-220 and TO-220F Package.
D
GDS
SDP SERIES
TO-220
GDS
SDF SERIES
TO-220F
G
S
ORDERING INFORMATION
Ordering Code
Package
SDP02N65HZ
TO-220
Marking Code
SDP02N65
Delivery Mode
Tube
RoHS Status
Halogen Free
SDP02N65PZ
SDF02N65HZ
SDF02N65PZ
TO-220
TO-220F
TO-220F
02N65
SDF02N65
02N65
Tube
Tube
Tube
Pb Free
Halogen Free
Pb Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
SDP02N65 SDF02N65
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
650
±30 ±30
ID
Drain Current-Continuous a
TC=25°C
TC=100°C
22
1.4 1.4
IDM -Pulsed a
5.9 5.9
EAS Single Pulse Avalanche Energy c
56
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=100°C
75 25
37.5 12.5
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
-55 to 175
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
2 6 °C/W
62.5 62.5 °C/W
Details are subject to change without notice.
1
Dec,24,2013
www.samhop.com.tw




SDF02N65 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SDP02N65
SDF02N65
18
ID= 1A
15
12
125 C
9
75 C
6
3 25 C
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
600
500
400
300
C oss
200
C is s
100
C rss
0
0 10 20 30 40 50
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
Ver 2.1
20.0
10.0
5.0 125 C
75 C
25 C
1.0
0
0.3 0.6
0.9 1.2 1.5
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
8 VDS =325V
ID= 1A
6
4
2
0
01 23456
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
10
1
R DS(ON) Limit
D1C0ms1m1s00us
0.1
10
1 R DS(ON) Limit DC10m1sm1s001u0sus
0.1
0.01
0.003
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TC=25 C
1 10
100 1000
0.01
0.003
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TC=25 C
1 10
100 1000
V DS , Drain-S ource V oltage (V )
Figure 11a. Maximum Safe Operating
Area for SDP02N65
V DS , Drain-S ource V oltage (V )
Figure 11b. Maximum Safe Operating
Area for SDF02N65
Dec,24,2013
4 www.samhop.com.tw

4페이지










SDF02N65 전자부품, 판매, 대치품
SDP02N65
SDF02N65
TO-220F
Q
L2
E
Q1 žP
A1
A3
D1
D
Ver 2.1
b1x3
L1
L bx3
e
E1
A
c A2
SYMBOL
A
A1
A2
A3
b
b1
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
Q
Q1
žP
MILLIMETERS
MIN MAX
4.50
2.35
4.90
2.75
2.15
0.50
2.92
0.65
0.70
1.15
0.90
1.55
0.45
0.70
15.30 16.30
6.67
6.77
9.90 10.32
9.20
9.40
2.54 REF.
9.45 10.05
2.79
3.60
15.60 16.00
3.20
3.40
6.90
7.10
2.90
3.55
Dec,24,2013
7 www.samhop.com.tw

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