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SDU01N70 데이터시트 PDF




SamHop Microelectronics에서 제조한 전자 부품 SDU01N70은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SDU01N70 자료 제공

부품번호 SDU01N70 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 SamHop Microelectronics
로고 SamHop Microelectronics 로고


SDU01N70 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SDU01N70 데이터시트, 핀배열, 회로
Green SDU/D01N70
Product
Sa mHop Microelectronics C orp.
Ver 1.1
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max
700V 1A 16 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Suface Mount Package.
D
G
S
SDU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251S(I-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251L(I-PAK)
ORDERING INFORMATION
Ordering Code
Package
SDU01N70HZ
TO-252
SDD01N70HS
TO-251S
SDD01N70HL
TO-251L
Marking Code
SDU01N70
SDD01N70
SDD01N70
Delivery Mode
Reel
Tube
Tube
RoHS Status
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-Continuous
IDM -Pulsed a
TC=25°C
TC=70°C
EAS Single Pulse Avalanche Energy c
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Limit
700
±30
1
0.8
3
4.9
42
27
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
3 °C/W
50 °C/W
Details are subject to change without notice.
1
Dec,24,2013
www.samhop.com.tw




SDU01N70 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SDU/D01N70
36
ID=0.5A
30
125 C
24
75 C
18
12
25 C
6
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Sorce Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
240
200
160 C i s s
120
80
Coss
40
Crss
0
0 10 20 30 40 50
VDS, Drain-to Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
50
Tf
Tr
TD(off )
TD(on)
10
VDS=350V,ID=0.5A
VGS=10V
1
1 10
100
Rg, Gate Resistance(Ω)
Figure 11. switching characteristics
Ver 1.1
20.0
10.0
5.0
25 C
125 C
75 C
1.0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=350V
8 ID=0.5A
6
4
2
0
0 1234
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
10
1
R DS(ON) Limit
D1C0m1sm1s00us
0.1
0.01
0.001
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TC=25 C
1 10
100 1000
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 12. Maximum Safe
Operating Area
Dec,24,2013
4 www.samhop.com.tw

4페이지










SDU01N70 전자부품, 판매, 대치품
SDU/D01N70
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-251S
E
b3
A
c2
Ver 1.1
D1
H
1
b2
E1 D
23
L4 L5
b
e
b4
c
SYMBOL
E
L
L4
L5
D
H
b
b2
b3
b4
e
A
c
c2
D1
E1
MILLIMETERS
MIN MAX
6.350
6.731
3.700
4.400
0.698 REF
0.972
1.226
5.970
9.670
6.223
11.450
0.630
0.850
0.760
4.950
1.140
5.460
0.450
0.550
2.286 BSC
2.180
2.390
0.400
0.400
0.610
0.610
5.100
4.318
7
L
Dec,24,2013
www.samhop.com.tw

7페이지


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