|
|
|
부품번호 | SDU01N70 기능 |
|
|
기능 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SamHop Microelectronics | ||
로고 | |||
Green SDU/D01N70
Product
Sa mHop Microelectronics C orp.
Ver 1.1
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
VDSS ID RDS(ON) (Ω) Max
700V 1A 16 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Suface Mount Package.
D
G
S
SDU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251S(I-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251L(I-PAK)
ORDERING INFORMATION
Ordering Code
Package
SDU01N70HZ
TO-252
SDD01N70HS
TO-251S
SDD01N70HL
TO-251L
Marking Code
SDU01N70
SDD01N70
SDD01N70
Delivery Mode
Reel
Tube
Tube
RoHS Status
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current-Continuous
IDM -Pulsed a
TC=25°C
TC=70°C
EAS Single Pulse Avalanche Energy c
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=70°C
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
Limit
700
±30
1
0.8
3
4.9
42
27
-55 to 150
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
3 °C/W
50 °C/W
Details are subject to change without notice.
1
Dec,24,2013
www.samhop.com.tw
SDU/D01N70
36
ID=0.5A
30
125 C
24
75 C
18
12
25 C
6
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-Sorce Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
240
200
160 C i s s
120
80
Coss
40
Crss
0
0 10 20 30 40 50
VDS, Drain-to Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
50
Tf
Tr
TD(off )
TD(on)
10
VDS=350V,ID=0.5A
VGS=10V
1
1 10
100
Rg, Gate Resistance(Ω)
Figure 11. switching characteristics
Ver 1.1
20.0
10.0
5.0
25 C
125 C
75 C
1.0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
VDS=350V
8 ID=0.5A
6
4
2
0
0 1234
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
10
1
R DS(ON) Limit
D1C0m1sm1s00us
0.1
0.01
0.001
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TC=25 C
1 10
100 1000
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 12. Maximum Safe
Operating Area
Dec,24,2013
4 www.samhop.com.tw
4페이지 SDU/D01N70
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-251S
E
b3
A
c2
Ver 1.1
D1
H
1
b2
E1 D
23
L4 L5
b
e
b4
c
SYMBOL
E
L
L4
L5
D
H
b
b2
b3
b4
e
A
c
c2
D1
E1
MILLIMETERS
MIN MAX
6.350
6.731
3.700
4.400
0.698 REF
0.972
1.226
5.970
9.670
6.223
11.450
0.630
0.850
0.760
4.950
1.140
5.460
0.450
0.550
2.286 BSC
2.180
2.390
0.400
0.400
0.610
0.610
5.100
4.318
7
L
Dec,24,2013
www.samhop.com.tw
7페이지 | |||
구 성 | 총 11 페이지수 | ||
다운로드 | [ SDU01N70.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SDU01N70 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | SamHop Microelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |