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SDU07N65 데이터시트 PDF




SamHop Microelectronics에서 제조한 전자 부품 SDU07N65은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SDU07N65 자료 제공

부품번호 SDU07N65 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 SamHop Microelectronics
로고 SamHop Microelectronics 로고


SDU07N65 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SDU07N65 데이터시트, 핀배열, 회로
SDU/D07N65Green
Product
Sa mHop Microelectronics C orp.
Ver 1.0
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRODUCT SUMMARY
VDSS ID RDS(ON) (Ω) Typ
650V
7A
1.2 @ VGS=10V
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON).
Rugged and reliable.
Suface Mount Package.
D
G
S
SDU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251S(I-PAK)
G
DS
SDD SERIES
TO-251L(I-PAK)
ORDERING INFORMATION
Ordering Code
Package
SDU07N65HZ
TO-252
SDD07N65HS
TO-251S
SDD07N65HL
TO-251L
Marking Code
SDU07N65
SDD07N65
SDD07N65
Delivery Mode
Reel
Tube
Tube
RoHS Status
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)
Symbol Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID
Drain Current-Continuous c
TC=25°C
TC=100°C
IDM -Pulsed a c
EAS Single Pulse Avalanche Energy d
PD
Maximum Power Dissipation
TC=25°C
TC=100°C
Limit
650
±30
7
5
21
480
94
47
Units
V
V
A
A
A
mJ
W
W
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage
Temperature Range
-55 to 175
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
R JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
R JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1.6 °C/W
50 °C/W
Details are subject to change without notice.
1
Nov,25,2014
www.samhop.com.tw




SDU07N65 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SDU/D07N65
3.6
ID = 3.5A
3.0
2.4 125 C
1.8
75 C
1.2
25 C
0.6
0
0 2 4 6 8 10
VGS, Gate-to-Source Voltage(V)
Figure 7. On-Resistance vs.
Gate-Source Voltage
1800
1500
1200
900
Ciss
600
Coss
300
Crss
0
0 10 20 30 40 50
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)
Figure 9. Capacitance
Ver 1.0
20.0
10.0
5.0
25 C
125 C
75 C
1.0
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
10
8
VDS = 325V
ID = 1A
6
4
2
0
0 5 10 15 20
Qg, Total Gate Charge(nC)
Figure 10. Gate Charge
1000
100
10
TD(off)
TD(on)
Tf
Tr
VDS=350V, ID=1A
VGS=10V
1
1 10
100
Rg, Gate Resistance(Ω)
Figure 11. switching characteristics
10
10ms
1
0.1
0.01
0.1
VGS=10V
Single Pulse
TA=25 C
1
10
100 1000
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 12. Maximum Safe
Operating Area
Nov,25,2014
4 www.samhop.com.tw

4페이지










SDU07N65 전자부품, 판매, 대치품
SDU/D07N65
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
TO-251S
E
b3
A
c2
Ver 1.0
D1
H
1
b2
E1 D
23
L4 L5
b
e
b4
c
SYMBOL
E
L
L4
L5
D
H
b
b2
b3
b4
e
A
c
c2
D1
E1
MILLIMETERS
MIN MAX
6.350
6.731
3.700
4.400
0.698 REF
0.972
1.226
5.970
9.670
6.223
11.450
0.630
0.850
0.760
4.950
1.140
5.460
0.450
0.550
2.286 BSC
2.180
0.400
0.400
2.390
0.610
0.610
5.100
4.318
7
L
Nov,25,2014
www.samhop.com.tw

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