Datasheet.kr   

BCW68GL 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 BCW68GL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BCW68GL 자료 제공

부품번호 BCW68GL 기능
기능 General Purpose Transistors
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


BCW68GL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BCW68GL 데이터시트, 핀배열, 회로
BCW68GL
General Purpose Transistor
PNP Silicon
Features
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
www.onsemi.com
COLLECTOR
3
1
BASE
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector−Emitter Voltage
VCEO −45 Vdc
Collector−Base Voltage
VCBO −60 Vdc
Emitter−Base Voltage
VEBO
−5.0
Vdc
Collector Current − Continuous
IC
−800
mAdc
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR−5 Board
(Note 1) TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
225 mW
1.8 mW/°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
RqJA
556 °C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate (Note 2)
TA = 25°C
Derate above 25°C
PD 300 mW
2.4 mW/°C
Thermal Resistance,
Junction−to−Ambient
RqJA
417 °C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
1. FR−5 = 1.0 0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in 99.5% alumina.
−55 to +150
°C
2
EMITTER
3
1
2
SOT−23
CASE 318
STYLE 6
MARKING DIAGRAM
DG MG
G
DG = Specific Device Code
M = Date Code*
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may vary
depending upon manufacturing location.
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
BCW68GLT1G,
SOT−23 3000 / Tape &
NSVBCW68GLT1G (Pb−Free)
Reel
BCW68GLT3G
SOT−23 10000 / Tape &
(Pb−Free)
Reel
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015
March, 2015 − Rev. 7
1
Publication Order Number:
BCW68GLT1/D




BCW68GL pdf, 반도체, 판매, 대치품
BCW68GL
TYPICAL CHARACTERISTICS
-1.0
TJ = 25°C
-0.8
-0.6 IC =
-500 mA
-0.4
IC = -300 mA
-0.2 IC = -100 mA
IC = -10 mA
0
-0.01
-0.1
-1.0
-10
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 6. Saturation Region
-100
+1.0
qVC for VCE(sat)
0
-1.0
100
10
-2.0 qVB for VBE
-1.0 -10 -100 -1000
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. Temperature Coefficients
1.0
-0.1
Cib
-1.0 -10
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitances
Cob
-100
www.onsemi.com
4

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ BCW68GL.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BCW68G

PNP General Purpose Amplifier

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BCW68G

PNP Small Signal Transistor 330mW

Micro Commercial Components
Micro Commercial Components

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵