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부품번호 | 2SJ554 기능 |
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기능 | P-Channel MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | Renesas | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
2SJ554
Silicon P Channel MOS FET
Description
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
RDS (on) = 0.028 Ω typ.
• Low drive current.
• 4 V gate drive devices.
• High speed switching.
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1
2
3
G
D
S
REJ03G0901-0400
(Previous: ADE-208-628B)
Rev.4.00
Sep 07, 2005
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7
2SJ554
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.10
Pulse Test
0.08
0.06
0.04
VGS = –4 V
–20 A
ID = –50 A
–10 A
–50 A
0.02
–10 V
–10 A, –20 A
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
1000
500
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
200
100
50
20 di / dt = 50 A / µs
VGS = 0, Ta = 25°C
10
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Reverse Drain Current IDR (A)
Dynamic Input Characteristics
0
VDD = –10 V
–25 V
–20 –50 V
0
–4
–40
VDS
–60
–80
VGS
VDD = –50 V
–25 V
–10 V
–8
–12
–16
ID = –45 A
–100
0 40 80
120 160
Gate Charge Qg (nc)
–20
200
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
30
Tc = –25°C
10
25°C
3
75°C
1
0.3 VDS = –10 V
Pulse Test
0.1
–0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100
Drain Current ID (A)
10000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
3000
1000
300
100
Ciss
Coss
Crss
30
VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 –10 –20 –30 –40 –50
Drain to Source Voltage VDS (V)
1000
Switching Characteristics
500 td(off)
tf
200
100 tr
50
20
10
–0.1 –0.3
td(on)
VGS = –10 V, VDD = –30 V
PW = 5 µs, duty ≤ 1 %
–1 –3 –10 –30 –100
Drain Current ID (A)
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7
4페이지 2SJ554
Package Dimensions
JEITA Package Code
SC-65
RENESAS Code
PRSS0004ZE-A
Package Name
TO-3P / TO-3PV
15.6 ± 0.3
φ3.2 ± 0.2
MASS[Typ.]
5.0g
4.8 ± 0.2
1.5
Unit: mm
1.6
1.4 Max
2.0
2.8
1.0 ± 0.2
3.6 0.9
1.0
5.45 ± 0.5
5.45 ± 0.5
0.6 ± 0.2
Ordering Information
Part Name
Quantity
Shipping Container
2SJ554-E
360 pcs
Box (Tube)
Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of
production before ordering the product.
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 7 of 7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SJ550 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
2SJ550 | P-Channel MOSFET ( Transistor ) | Renesas |
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