Datasheet.kr   

DCR960G18 데이터시트 PDF




DYNEX에서 제조한 전자 부품 DCR960G18은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DCR960G18 자료 제공

부품번호 DCR960G18 기능
기능 Phase Control Thyristor
제조업체 DYNEX
로고 DYNEX 로고


DCR960G18 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

DCR960G18 데이터시트, 핀배열, 회로
DCR960G18
Phase Control Thyristor
DS6027-1 April 2011 (LN28238)
FEATURES
Double Side Cooling
High Surge Capability
APPLICATIONS
High Power Drives
High Voltage Power Supplies
Static Switches
VOLTAGE RATINGS
Part and
Ordering
Number
Repetitive Peak
Voltages
VDRM and VRRM
V
Conditions
DCR960G18
DCR960G16
DCR960G14
DCR960G12
1800
1600
1400
1200
Tvj = -40°C to 125°C,
IDRM = IRRM = 60mA,
VDRM, VRRM tp = 10ms,
VDSM & VRSM =
VDRM & VRRM +100V
respectively
Lower voltage grades available.
KEY PARAMETERS
VDRM
IT(AV)
ITSM
dV/dt*
dI/dt
1800 V
960 A
14000 A
1000 V/µs
200 A/µs
* Higher dV/dt selections available
Outline type code: G
(See Package Details for further information)
ORDERING INFORMATION
When ordering, select the required part number
shown in the Voltage Ratings selection table.
For example:
DCR960G18
Note: Please use the complete part number when ordering
and quote this number in any future correspondence
relating to your order.
Fig. 1 Package outline
www.dynexsemi.com
1/10




DCR960G18 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
DCR960G18
CURVES
10000
9000
8000
7000 VTM EQUATION
6000
5000 VTM = A + Bln (IT) + C.IT+D.IT
4000
3000
2000
1000
0
Tj=25°C
Tj=125°C
0123
Instantaneous on-state voltage,VT - (V)
4
Where A = 0.440868
B = 0.0637241
C = 0.000258024
D = 0.00399011
These values are valid for Tj = 125°C
Fig.2 Maximum &minimum on-state characteristics
0.04
Double side cooled
0.03
  Rthjc t
n
i 1
Rthi
1
e
t
i


0.02
i τi (s)
Rthi (°C/kW)
1 0.7085781
19.71901
2 0.1435833
4.240625
0.01
3 0.0361520
7.963806
4 0.0021308
3.043661
0
0.001
0.01 0.1
1
Time ( s )
10 100
Fig.3 Maximum (limit) transient thermal impedance junction to case (°C/W)
www.dynexsemi.com
4/9

4페이지










DCR960G18 전자부품, 판매, 대치품
SEMICONDUCTOR
4.50
4.00
3.50
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0
12.0
10.0
Tj=125°C
50 100
DCR960G18
Upper limit
Tj=25°C
Tj=-40°C
Lower limit
150 200 250 300 350 400 450 500
Gate trigger current IGT, - (mA)
Fig.12 Gate characteristics
PGM=20W
8.0
6.0 A
4.0
2.0
0.0
B 0.0
C
1.0 2.0 3.0
Gate trigger current IGT, - (A)
A is Recommended Triggering Area.
B is Unreliable Triggering Area.
C is Recommended Gate Load Line.
4.0
Fig.13 Gate characteristics
www.dynexsemi.com
7/9

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ DCR960G18.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
DCR960G18

Phase Control Thyristor

DYNEX
DYNEX

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵