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RU20120L 데이터시트 PDF




Ruichips에서 제조한 전자 부품 RU20120L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 RU20120L 자료 제공

부품번호 RU20120L 기능
기능 N-Channel Advanced Power MOSFET
제조업체 Ruichips
로고 Ruichips 로고


RU20120L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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RU20120L 데이터시트, 핀배열, 회로
RU20120L
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 20V/120A,
RDS (ON) =2.3mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =4.2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• Reliable and Rugged
• 100% avalanche tested
• 175°C Operating Temperature
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Pin Description
Applications
• Power Management
• DC-DC Converters
TO252
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
VGSS
TJ
TSTG
IS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
Mounted on Large Heat Sink
IDP
300μs Pulse Drain Current Tested
ID
Continuous Drain Current(VGS=10V)
PD Maximum Power Dissipation
RθJC Thermal Resistance-Junction to Case
RθJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
Drain-Source Avalanche Ratings
EAS
Avalanche Energy, Single Pulsed
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
1
N-Channel MOSFET
Rating
Unit
TC=25°C
20
±20
175
-55 to 175
120
V
°C
°C
A
TC=25°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
480 A
120
A
93
103
W
52
1.45 °C/W
100 °C/W
64 mJ
www.ruichips.com




RU20120L pdf, 반도체, 판매, 대치품
RU20120L
Typical Characteristics
Power Dissipation
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
1000
100
10µs
10 100µs
DC 1ms
10ms
1
Drain Current
140
120
100
80
60
40
20
VGS=10V
0
25 50
75
100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Drain Current
10
Ids=60A
8
6
4
0.1
TC=25°C
0.01
0.01
0.1
1
10 100 1000
VDS - Drain-Source Voltage (V)
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
10
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
1E-05
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
Square Wave Pulse Duration (sec)
RθJC=1.45°C/W
1 10
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
4
www.ruichips.com

4페이지










RU20120L 전자부품, 판매, 대치품
Package Information
TO252
E
b3
E1
eb
RU20120L
C
θ1
A1
θ1 θ1
θ
L2
θ2
SYMBOL
A
A1
b
b3
c
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
θ
θ1
θ2
MIN
2.200
0.000
0.720
5.230
0.470
6.000
6.500
4.700
9.900
1.400
0.900
0.600
MM
NOM
2.290
0.785
5.345
0.525
6.100
5.30 REF
6.600
4.810
2.28 REF
10.100
1.550
2.743 REF
0.510 BSC
1.075
0.800
MAX
2.380
0.100
0.850
5.460
0.580
6.200
6.700
4.920
10.300
1.700
1.250
1.000
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
7
MIN
0.087
0.000
0.028
0.206
0.019
0.236
0.256
0.185
0.390
0.055
0.035
0.024
INCH
NOM
0.090
0.031
0.210
0.021
0.240
0.20 REF
0.260
0.189
0.09 REF
0.398
0.061
0.108 REF
0.020 BSC
0.042
0.031
MAX
0.094
0.004
0.033
0.215
0.023
0.244
0.264
0.194
0.406
0.067
0.049
0.039
www.ruichips.com

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