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부품번호 | RU20120L 기능 |
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기능 | N-Channel Advanced Power MOSFET | ||
제조업체 | Ruichips | ||
로고 | |||
RU20120L
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 20V/120A,
RDS (ON) =2.3mΩ(Typ.)@VGS=10V
RDS (ON) =4.2mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• Reliable and Rugged
• 100% avalanche tested
• 175°C Operating Temperature
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Pin Description
Applications
• Power Management
• DC-DC Converters
TO252
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
VGSS
TJ
TSTG
IS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
Mounted on Large Heat Sink
①
IDP
300μs Pulse Drain Current Tested
②
ID
Continuous Drain Current(VGS=10V)
PD Maximum Power Dissipation
RθJC Thermal Resistance-Junction to Case
RθJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
Drain-Source Avalanche Ratings
③
EAS
Avalanche Energy, Single Pulsed
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
1
N-Channel MOSFET
Rating
Unit
TC=25°C
20
±20
175
-55 to 175
120
V
°C
°C
A
TC=25°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
480 A
120
A
93
103
W
52
1.45 °C/W
100 °C/W
64 mJ
www.ruichips.com
℃
RU20120L
Typical Characteristics
Power Dissipation
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
1000
100
10µs
10 100µs
DC 1ms
10ms
1
Drain Current
140
120
100
80
60
40
20
VGS=10V
0
25 50
75
100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Drain Current
10
Ids=60A
8
6
4
0.1
TC=25°C
0.01
0.01
0.1
1
10 100 1000
VDS - Drain-Source Voltage (V)
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
10
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
1E-05
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
Square Wave Pulse Duration (sec)
RθJC=1.45°C/W
1 10
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
4
www.ruichips.com
4페이지 ℃
Package Information
TO252
E
b3
E1
eb
RU20120L
C
θ1
A1
θ1 θ1
θ
L2
θ2
SYMBOL
A
A1
b
b3
c
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
θ
θ1
θ2
MIN
2.200
0.000
0.720
5.230
0.470
6.000
6.500
4.700
9.900
1.400
0.900
0.600
0°
5°
5°
MM
NOM
2.290
0.785
5.345
0.525
6.100
5.30 REF
6.600
4.810
2.28 REF
10.100
1.550
2.743 REF
0.510 BSC
1.075
0.800
7°
7°
MAX
2.380
0.100
0.850
5.460
0.580
6.200
6.700
4.920
10.300
1.700
1.250
1.000
8°
9°
9°
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– DEC., 2012
7
MIN
0.087
0.000
0.028
0.206
0.019
0.236
0.256
0.185
0.390
0.055
0.035
0.024
0°
5°
5°
INCH
NOM
0.090
0.031
0.210
0.021
0.240
0.20 REF
0.260
0.189
0.09 REF
0.398
0.061
0.108 REF
0.020 BSC
0.042
0.031
7°
7°
MAX
0.094
0.004
0.033
0.215
0.023
0.244
0.264
0.194
0.406
0.067
0.049
0.039
8°
9°
9°
www.ruichips.com
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