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K40H1203 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 K40H1203 기능
기능 IKW40N120H3
제조업체 Infineon
로고 Infineon 로고 


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K40H1203 데이터시트, 핀배열, 회로
IGBT
HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecovery
anti-paralleldiode
IKW40N120H3
1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration
Datasheet
IndustrialPowerControl




K40H1203 pdf, 반도체, 판매, 대치품
IKW40N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
MaximumRatings
Foroptimumlifetimeandreliability,Infineonrecommendsoperatingconditionsthatdonotexceed80%ofthemaximumratingsstatedinthisdatasheet.
Parameter
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter voltage
DCcollectorcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Pulsedcollectorcurrent,tplimitedbyTvjmax
TurnoffsafeoperatingareaVCE1200V,Tvj175°C
Diodeforwardcurrent,limitedbyTvjmax
TC=25°C
TC=100°C
Diodepulsedcurrent,tplimitedbyTvjmax
Gate-emitter voltage
VCE
IC
ICpuls
-
IF
IFpuls
VGE
1200
80.0
40.0
160.0
160.0
40.0
20.0
160.0
±20
V
A
A
A
A
A
V
Short circuit withstand time
VGE=15.0V,VCC600V
Allowed number of short circuits < 1000
Time between short circuits: 1.0s
Tvj=175°C
PowerdissipationTC=25°C
PowerdissipationTC=100°C
Operating junction temperature
Storage temperature
tSC µs
10
Ptot
483.0
220.0
W
Tvj
-40...+175
°C
Tstg
-55...+150
°C
Soldering temperature,
wave soldering 1.6mm (0.063in.) from case for 10s
260 °C
Mounting torque, M3 screw
Maximum of mounting processes: 3
M
0.6 Nm
ThermalResistance
Parameter
Characteristic
IGBT thermal resistance,
junction - case
Diode thermal resistance,
junction - case
Thermal resistance
junction - ambient
Symbol Conditions
Rth(j-c)
Rth(j-c)
Rth(j-a)
Max.Value
Unit
0.31 K/W
1.11 K/W
40 K/W
4 Rev.2.1,2014-11-26

4페이지










K40H1203 전자부품, 판매, 대치품
IKW40N120H3
Highspeedswitchingseriesthirdgeneration
160
100
140
120
100
80
60
TC=80°
40
TC=110°
20 TC=80°
TC=110°
0
1 10 100 1000
f,SWITCHINGFREQUENCY[kHz]
Figure 1. Collectorcurrentasafunctionofswitching
frequency
(Tj175°C,D=0.5,VCE=600V,VGE=15/0V,
rG=12)
tp=1µs
10µs
10 50µs
100µs
200µs
500µs
1 DC
0.1
1 10 100 1000
VCE,COLLECTOR-EMITTERVOLTAGE[V]
Figure 2. Forwardbiassafeoperatingarea
(D=0,TC=25°C,Tj175°C;VGE=15V)
500 80
400
60
300
40
200
20
100
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 3. Powerdissipationasafunctionofcase
temperature
(Tj175°C)
0
25 50 75 100 125 150 175
TC,CASETEMPERATURE[°C]
Figure 4. Collectorcurrentasafunctionofcase
temperature
(VGE15V,Tj175°C)
7 Rev.2.1,2014-11-26

7페이지


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