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2N3811A 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2N3811A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N3811A 자료 제공

부품번호 2N3811A 기능
기능 SILICON DUAL PNP TRANSISTORS
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


2N3811A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N3811A 데이터시트, 핀배열, 회로
2N3811
2N3811A
SILICON
DUAL PNP TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3811 and 2N3811A
are dual silicon PNP transistors manufactured by the
epitaxial planar process utilizing two individual chips
mounted in a hermetically sealed metal case designed
for differential amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-78 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation (One Die)
Power Dissipation (Both Dice)
Operating and Storage Junction Temperature
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ, Tstg
60
60
5.0
50
500
600
-65 to +200
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN MAX
UNITS
ICBO
VCB=50V
10 nA
IEBO
VEB=4.0V
20 nA
BVCBO
IC=10μA
60
V
BVCEO
IC=10mA
60
V
BVEBO
IE=10μA
5.0
V
VCE(SAT) IC=100μA, IB=10μA
0.20 V
VCE(SAT) IC=1.0mA, IB=100μA
0.25 V
VBE(SAT) IC=100μA, IB=10μA
0.70 V
VBE(SAT) IC=1.0mA, IB=100μA
0.80 V
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=100μA
0.70 V
hFE VCE=5.0V, IC=1.0μA
75
hFE VCE=5.0V, IC=10μA
225
hFE VCE=5.0V, IC=100μA
300 900
hFE VCE=5.0V, IC=500μA
300 900
hFE VCE=5.0V, IC=1.0mA
300 900
hFE VCE=5.0V, IC=10mA
250
fT
VCE=5.0V, IC=500μA, f=30MHz
30
MHz
fT
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=100MHz
100
500 MHz
Cob VCB=5.0V, IE=0, f=100kHz
4.0 pF
Cib VBE=0.5V, IC=0, f=100kHz
8.0 pF
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
10
hre VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
40 Ω
25 x10-4
hfe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
300
900
hoe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
5.0
60
μS
NF VCE=10V, IC=100μA, RG=3.0kΩ,
f=100Hz, BW=20Hz
4.0 dB
R0 (31-January 2014)





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