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JCS840B 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS840B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JCS840B 자료 제공

부품번호 JCS840B 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS840B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS840B 데이터시트, 핀배열, 회로
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N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS840
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 8 A
VDSS 500 V
Rdson(@Vgs=10V) 0.8
Qg 59 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrssB B (典型值 35pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow CrssB B (typical 35pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
印记
Order codes
Marking
JCS840S-O-S-N-B JCS840S
JCS840B-O-B-N-B JCS840B
JCS840C-O-C-N-B JCS840C
JCS840F-O-F-N-B
JCS840F
封装
Package
TO-263
TO-262
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen Free
NO
NO
NO
NO
包装
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device Weight
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
版本:201007A
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JCS840B pdf, 반도체, 판매, 대치품
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R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
tBdB(on)
trB B
VBDDB=250V,IBDB=8.0A,RBGB=25
note 45
延迟时间 Turn-Off delay time
tBdB(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
tfB B
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
QgB B
QgsB B
QgdB B
VDSB B =400V ,
IBDB=8.0A
VGSB B =10V note 45
JCS840
- 22 55 ns
- 65 140 ns
- 125 260 ns
- 75 160 ns
- 59 70 nC
- 6.5 - nC
- 28 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
ISB B - - 8.0 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISMB B - - 32 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSDB B
VBGSB=0V,
IBSB=8.0A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trrB B VBGSB=0V, IBSB=8.0A
- 390 - ns
QrrB B
dIBFB/dt=100A/μs (note 4)
- 4.2 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
最大
符号
Max
Symbol
JCS840S/B/C JCS840F
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.93
2.86 /W
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=9.0mH, IBASB=8.0A, VBDDB=50V, RBGB=25 ,起始结
TBJB=25
3ISDB B 8.0A,di/dt 200A/μs,VDDBVBDSSB,起始结温
TBJB=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1 Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=9.0mH, IBASB=8.0A, VBDDB=50V, RBGB=25 ,Starting
TBJB=25
3 ISDB B 8.0A,di/dt 200A/μs,VDDBVBDSSB, Starting
TBJB=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201007A
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R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS840S/B/C
JCS840
Transient Thermal Response Curve
For JCS840F
版本:201007A
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