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HCU65R360S 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HCU65R360S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HCU65R360S 자료 제공

부품번호 HCU65R360S 기능
기능 650V N-Channel Super Junction MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HCU65R360S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HCU65R360S 데이터시트, 핀배열, 회로
June 2015
HCD65R360S / HCU65R360S
650V N-Channel Super Junction MOSFET
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 23 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
BVDSS = 650 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 11 A
D-PAK I-PAK
2
1
1
32
3
HCD65R360S HCU65R360S
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
650
11
7
33
ρ20
300
3.0
0.6
15
Power Dissipation (TA = 25)*
PD Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
2.5
100
0.8
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
Parameter
RșJC
RșJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient*
RșJA Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
Typ.
--
--
--
Max.
1.5
50
110
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳͥ͑͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͑͢͡




HCU65R360S pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
 Note :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250PA
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
102
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
10 Ps
101 100 Ps
1 ms
10 ms
100 DC
10-1
10-2
10-1
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
100 101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. V = 10 V
GS
2. ID = 5.5 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
12
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
* Notes :
1. ZTJC(t) = 1.5 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
ZTJC(t)
PDM
single pulse
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳͥ͑͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͑͢͡

4페이지










HCU65R360S 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTY\YhG
OkTwhrPG
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳͥ͑͝ͻΦΟΖ͑ͣͦ͑͢͡

7페이지


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