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PDF H5N5006FM Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | H5N5006FM | |
| Descripción | Silicon N Channel MOS FET | |
| Fabricantes | Renesas | |
| Logotipo |  |
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H5N5006FM
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance: R DS (on) = 2.5 Ω typ.
• Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)
• High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 1.5 A)
• Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 3 A)
• Avalanche ratings
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A
(Package name: TO-220FM)
D
123
G
S
REJ03G1114-0200
(Previous: ADE-208-1112)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
1. Gate
2. Drain
3. Source
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6
1 page  
H5N5006FM
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
Pulse Test
4
3
2 5, 10 V
1
VGS = 0 V
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Gate to Source Cutoff Voltage
vs. Case Temperature
5
ID = 10 mA
4 1 mA
3
2 0.1 mA
1
VDS = 10 V
0
–50 0
50
100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
Tc = 25°C
1
D=1
0.3 0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03 0.02
0.01
0.01
1shot
pulse
0.003
0.001
10 µ
100 µ
θch – c (t) = γ s (t) • θch – c
θch – c = 5.00°C/W, Tc = 25°C
PDM
D=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
10 Ω
Vin
10 V
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
VDD
= 250 V
Waveform
Vin
Vout
10%
10%
90%
td(on)
tr
90%
90%
td(off)
10%
tf
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| H5N5006FM | Silicon N-Channel MOSFET |  Hitachi |
| H5N5006FM | Silicon N Channel MOS FET | Renesas |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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