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부품번호 | L2SC2412KQMT3G 기능 |
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기능 | General Purpose Transistor | ||
제조업체 | Leshan Radio Company | ||
로고 | |||
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
• S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
ORDERING INFORMATION
Device
L2SC2412KQMT1G
S-L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT3G
S-L2SC2412KQMT3G
L2SC2412KRMT1G
S-L2SC2412KRMT1G
L2SC2412KRMT3G
S-L2SC2412KRMT3G
L2SC2412KSMT1G
S-L2SC2412KSMT1G
L2SC2412KSMT3G
S-L2SC2412KSMT3G
MAXIMUM RATINGS
Marking
BQ
BQ
BR
BR
G1F
G1F
Shipping
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
Rating
Symbol Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V CEO
50
V
Collector–Base Voltage
V CBO
60
V
Emitter–Base Voltage
V EBO
7.0
V
Collector Current — Continuous
Collector power dissipation
Junction temperature
IC
PC
Tj
150 mAdc
0.2 W
150 °C
Storage temperature
T stg -55 ~+150 °C
DEVICE MARKING
L2SC2412KQMT1G
Series
S-L2SC2412KQMT1G
Series
SC-74
654
CBE
EBC
123
L2SC2412KQMT1G =BQ L2SC2412KRMT1G =BR L2SC2412KSMT1G =G1F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1 mA)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 50 µA)
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 50 µA)
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 V)
Emitter cutoff current
(VEB = 7 V)
Collector-emitter saturation voltage
(IC/ IB = 50 mA / 5m A)
DC current transfer ratio
(V CE = 6 V, I C= 1mA)
Transition frequency
(V CE = 12 V, I E= – 2mA, f =30MHz )
Output capacitance
(V CB = 12 V, I E= 0A, f =1MHz )
Symbol
V (BR)CEO
V (BR)EBO
V (BR)CBO
I CBO
I EBO
V CE(sat)
h FE
fT
C ob
Min
50
7
60
—
—
—
120
—
—
Typ Max Unit
— —V
— —V
— —V
— 0.1 µA
— 0.1 µA
— 0.4 V
–– 560 ––
180 –– MHz
2.0 3.5 pF
h FE values are classified as follows:
*Q
R
hFE
120~270
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC2412KQMT1G S-L2SC2412KQMT1G
Series
Series
D
65 4
HE 1 2 3
E
b
e
0.05 (0.002)
A1
A
SC−74
q
C
L
MILLIMETERS
DIM MIN NOM MAX
A 0.90 1.00 1.10
A1 0.01 0.06 0.10
b 0.25 0.37 0.50
c 0.10 0.18 0.26
D 2.90 3.00 3.10
E 1.30 1.50 1.70
e 0.85 0.95 1.05
L 0.20 0.40 0.60
HE 2.50 2.75 3.00
q 0° − 10°
INCHES
MIN NOM MAX
0.035 0.039 0.043
0.001 0.002 0.004
0.010 0.015 0.020
0.004 0.007 0.010
0.114 0.118 0.122
0.051 0.059 0.067
0.034 0.037 0.041
0.008 0.016 0.024
0.099 0.108 0.118
0° − 10°
Rev.O 4/4
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
L2SC2412KQMT3G | General Purpose Transistor | Leshan Radio Company |
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