Datasheet.kr   

S-L2SC2412KRMT1G 데이터시트 PDF




Leshan Radio Company에서 제조한 전자 부품 S-L2SC2412KRMT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S-L2SC2412KRMT1G 자료 제공

부품번호 S-L2SC2412KRMT1G 기능
기능 General Purpose Transistor
제조업체 Leshan Radio Company
로고 Leshan Radio Company 로고


S-L2SC2412KRMT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

S-L2SC2412KRMT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
ORDERING INFORMATION
Device
L2SC2412KQMT1G
S-L2SC2412KQMT1G
L2SC2412KQMT3G
S-L2SC2412KQMT3G
L2SC2412KRMT1G
S-L2SC2412KRMT1G
L2SC2412KRMT3G
S-L2SC2412KRMT3G
L2SC2412KSMT1G
S-L2SC2412KSMT1G
L2SC2412KSMT3G
S-L2SC2412KSMT3G
MAXIMUM RATINGS
Marking
BQ
BQ
BR
BR
G1F
G1F
Shipping
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
Rating
Symbol Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V CEO
50
V
Collector–Base Voltage
V CBO
60
V
Emitter–Base Voltage
V EBO
7.0
V
Collector Current — Continuous
Collector power dissipation
Junction temperature
IC
PC
Tj
150 mAdc
0.2 W
150 °C
Storage temperature
T stg -55 ~+150 °C
DEVICE MARKING
L2SC2412KQMT1G
Series
S-L2SC2412KQMT1G
Series
SC-74
654
CBE
EBC
123
L2SC2412KQMT1G =BQ L2SC2412KRMT1G =BR L2SC2412KSMT1G =G1F
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1 mA)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 50 µA)
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 50 µA)
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 V)
Emitter cutoff current
(VEB = 7 V)
Collector-emitter saturation voltage
(IC/ IB = 50 mA / 5m A)
DC current transfer ratio
(V CE = 6 V, I C= 1mA)
Transition frequency
(V CE = 12 V, I E= – 2mA, f =30MHz )
Output capacitance
(V CB = 12 V, I E= 0A, f =1MHz )
Symbol
V (BR)CEO
V (BR)EBO
V (BR)CBO
I CBO
I EBO
V CE(sat)
h FE
fT
C ob
Min
50
7
60
120
Typ Max Unit
— —V
— —V
— —V
— 0.1 µA
— 0.1 µA
— 0.4 V
–– 560 ––
180 –– MHz
2.0 3.5 pF
h FE values are classified as follows:
*Q
R
hFE
120~270
180~390
S
270~560
Rev.O 1/4




S-L2SC2412KRMT1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC2412KQMT1G S-L2SC2412KQMT1G
Series
Series
D
65 4
HE 1 2 3
E
b
e
0.05 (0.002)
A1
A
SC−74
q
C
L
MILLIMETERS
DIM MIN NOM MAX
A 0.90 1.00 1.10
A1 0.01 0.06 0.10
b 0.25 0.37 0.50
c 0.10 0.18 0.26
D 2.90 3.00 3.10
E 1.30 1.50 1.70
e 0.85 0.95 1.05
L 0.20 0.40 0.60
HE 2.50 2.75 3.00
q 0° − 10°
INCHES
MIN NOM MAX
0.035 0.039 0.043
0.001 0.002 0.004
0.010 0.015 0.020
0.004 0.007 0.010
0.114 0.118 0.122
0.051 0.059 0.067
0.034 0.037 0.041
0.008 0.016 0.024
0.099 0.108 0.118
0° − 10°
Rev.O 4/4

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ S-L2SC2412KRMT1G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
S-L2SC2412KRMT1G

General Purpose Transistor

Leshan Radio Company
Leshan Radio Company

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵