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부품번호 | 1N4448W 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
RoHS
1N4448W
DFeatures
T· Fast Switching Speed
· Surface Mount Package Ideally Suited for
Automatic Insertion
.,L· For General Purpose Switching Applications
O· High Conductance
SOD-123
2.70
3.70
IC CMaximum Ratings @ TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
NPeak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
ORMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Average Rectified Output Current (Note 1)
RNon-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0ms
@ t = 1.0s
TPower Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)
COperating and Storage Temperature Range
Symbol
VRM
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IFM
IO
IFSM
Pd
RqJA
Tj , TSTG
1N4448W
100
75
53
500
250
4.0
2.0
350
357
-65 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
A
mW
K/W
°C
EElectrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
LCharacteristic
EMaximum Forward Voltage
Symbol
VFM
Min
0.62
¾
¾
¾
JMaximum Peak Reverse Current
EJunction Capacitance
WReverse Recovery Time
IRM ¾
Cj ¾
trr ¾
Max
0.72
0.855
1.0
1.25
2.5
50
30
25
4.0
4.0
Unit
V
mA
mA
mA
nA
pF
ns
Test Condition
IF = 5.0mA
IF = 10mA
IF = 100mA
IF = 150mA
VR = 75V
VR = 75V, Tj = 150°C
VR = 25V, Tj = 150°C
VR = 20V
VR = 0, f = 1.0MHz
IF = IR = 10mA,
Irr = 0.1 x IR, RL = 100W
Notes: 1. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1N4448 | SIGNAL DIODE | Rectron Semiconductor |
1N4448 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Semtech Corporation |
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