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부품번호 | 1SS226 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
RoHS
1SS226 SWITCHING DIODE
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE
DFeatures
TPower dissipation
PD : 150 mW (Tamb=25oC)
.,LForward Current
IF : 100 mA
Reverse Voltage
VR : 80V
OOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 oC to +150 oC
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
ONIC CMarking:C3
Unit:mm
TRELECTRICAL CHARACTERISTICS
o
C(Ta=25 C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
EReverse breakdown voltage
V(BR)
LReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
JDiode Capacitance
WEReverse Recovery Time
VF
Ctot
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=80V
IF=100mA
VR=0V f=1MHz
IF=IR=10mA
Irr=0.1IR
MIN. MAX. Unit
80 V
0.5 A
1.2 V
3 pF
4 nS
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
1SS220 | (1SS220 / 1SS221) SILICON SWITCHING DIODES | NEC |
1SS226 | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Toshiba Semiconductor |
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