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BAL99LT1 PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 BAL99LT1
기능 DIODE
제조업체 WEJ
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BAL99LT1 데이터시트, 핀배열, 회로
SWITCHING DIODE
RoHS
BAL99LT1
Features
Power dissipation
PD : 350 mW (Tamb=25 C)
Pluse Drain
DIF : 100 mA
TReverse Voltage
VR : 70V
.,LOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 C to +150 C
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
COANODE-CATHODE
3
IC1 2
ANODE CATHODE
Marking:JF
Unit:mm
ONElectro-Optical Characteristics
RParameter
Symbol
TReverse breakdown voltage
V(BR)
CReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
ELDiode Capacitance
WEJReverse Recovery Time
VF
CD
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=70V
IF=1mA
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
VR=0V f=1MHz
(Ta=25 C)
MIN. MAX. Unit
70 V
2.5
715
855
1000
1250
1.5
A
mV
pF
6 nS
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:wej@yongerjia.com






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BAL99LT1

CASE 318-08/ STYLE 18 SOT-23 (TO-236AB)

Motorola  Inc
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BAL99LT1

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ON Semiconductor
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