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부품번호 | BAS16W 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
RoHS
BAS16W
BAS16W SWITCHING DIODE
DFEATURES
TPower dissipation
.,LPD : 200 mW Tamb=25
Collector current
IO : 150 mA
Collector-base voltage
OVR : 75
V
Operating and storage junction temperature range
CTJ Tstg: -55 to +150
Unit : mm
NICMarking A2 KA2 KT1
ROELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless otherwise specified
TParameter
CReverse breakdown voltage
EReverse voltage leakage current
LForward voltage
EDiode capacitance
WEJReveres recovery time
Symbol
Test conditions
V(BR) R
IR= 100µA
IR VR=75V
IF=1mA
VF
IF=10mA
IF=50mA
IF=150mA
CD VR=0V f=1MHz
IF=IR=10mA
trr
Irr=0.1 IR
MIN MAX
UNIT
75 V
1
0.715
0.855
1
1.25
2
µA
V
pF
4 nS
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAS16 | High-speed diode | Kexin |
BAS16 | Surface Mount Switching Diode | WEITRON |
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