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PDF BAS19LT1 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza BAS19LT1
Descripción DIODE
Fabricantes WEJ 
Logotipo WEJ Logotipo



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SWITCHING DIODE
RoHS
BAS19LT1
Features
Power dissipation
PD : 225 mW (Tamb=25 C)
Pluse Drain
DIF : 200 mA
TReverse Voltage
VR : 120V
.,LOperating and storage junction temperature range
Tj, Tstg : -55 C to +150 C
1
1.
2.4
1.3
SOT-23
3
2
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
COANODE-CATHODE
3
IC1 2
ANODE CATHODE
Marking:JP
Unit:mm
ONElectro-Optical Characteristics
RParameter
Symbol
TReverse breakdown voltage
V(BR)
CReverse Voltage leakage current
IR
EForward Voltage
LDiode Capacitance
WEJ EReverse Recovery Time
VF
CD
trr
Test Condition
IR=100 A
VR=100V
IF=100mA
IF=200mA
VR=0V f=1MHz
(Ta=25 C)
MIN. MAX. Unit
120 V
0.1
1000
1250
5
A
mV
pF
50 nS
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:[email protected]

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
BAS19LT1High Voltage Switching DiodeON Semiconductor
ON Semiconductor
BAS19LT1High Voltage Switching DiodeMotorola Semiconductors
Motorola Semiconductors
BAS19LT1DIODEWEJ
WEJ

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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