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부품번호 | DAP222 기능 |
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기능 | DIODE | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
RoHS
DAP222
DAP222 SWITCHING DIODE
DFEATURES:
TPower dissipation
.,LPD: 150 mW (Tamb=25℃)
Collector current
IF: 100 mA
OCollector-base voltage
VR: 80 V
COperating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
ICCIRCUIT:
0.20
1.60
1.00
0.30
1.60
0.50
0.81
SOT-523
ON1
3
R2
CTMARKING: P
EELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
LParameter
EReverse breakdown voltage
JReverse voltage leakage current
Symbol
V(BR)
IR
Test conditions
IR= 100µA
VR=70V
MIN MAX
80
0.1
EForward voltage
VF IF=100mA
1.2
WDiode capacitance
CD VR=6V, f=1MHz
3.5
UNIT
V
µA
V
pF
Reverse recovery time
trr VR=6V, IF=5mA
4 ns
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
DAP222 | Switching Diodes | Kexin |
DAP222 | Surface Mount Fast Switching Diode | Galaxy Microelectronics |
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