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2N6384 데이터시트 PDF




Central Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2N6384은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N6384 자료 제공

부품번호 2N6384 기능
기능 NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
제조업체 Central Semiconductor
로고 Central Semiconductor 로고


2N6384 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N6384 데이터시트, 핀배열, 회로
2N6383
2N6384
2N6385
NPN SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
CentralTM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3683 SERIES
types are NPN Silicon Power Darlington Transistors
designed for power amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-3 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEX
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
ΘJC
2N6383 2N6384 2N6385
40 60 80
40 60 80
40 60 80
5.0
10
15
250
100
-65 to +200
1.75
UNITS
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
ICEV
ICEV
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCER
BVCER
BVCER
BVCEV
BVCEV
BVCEV
VCEV=Rated VCEO, VBE(off)=1.5V
VCEV=Rated VCEO, VBE(off)=1.5V, TC=150°C
VCE=Rated VCEO
VEB=5.0V
IC=200mA (2N6383)
IC=200mA (2N6384)
IC=200mA (2N6385)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6383)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6384)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6385)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6383)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6384)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6385)
40
60
80
40
60
80
40
60
80
MAX
300
3.0
1.0
10
UNITS
μA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
R1 (28-August 2008)





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다운로드[ 2N6384.PDF 데이터시트 ]

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