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부품번호 | 2N6385 기능 |
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기능 | NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR | ||
제조업체 | Central Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
2N6383
2N6384
2N6385
NPN SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
CentralTM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3683 SERIES
types are NPN Silicon Power Darlington Transistors
designed for power amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-3 CASE
MAXIMUM RATINGS: (TC=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEX
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
ΘJC
2N6383 2N6384 2N6385
40 60 80
40 60 80
40 60 80
5.0
10
15
250
100
-65 to +200
1.75
UNITS
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL TEST CONDITIONS
MIN
ICEV
ICEV
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCER
BVCER
BVCER
BVCEV
BVCEV
BVCEV
VCEV=Rated VCEO, VBE(off)=1.5V
VCEV=Rated VCEO, VBE(off)=1.5V, TC=150°C
VCE=Rated VCEO
VEB=5.0V
IC=200mA (2N6383)
IC=200mA (2N6384)
IC=200mA (2N6385)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6383)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6384)
IC=200mA, RBE=100Ω (2N6385)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6383)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6384)
IC=200mA, VBE(off)=1.5V (2N6385)
40
60
80
40
60
80
40
60
80
MAX
300
3.0
1.0
10
UNITS
μA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
R1 (28-August 2008)
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N6380 | Trans GP BJT PNP 80V 50A 3-Pin TO-63 | New Jersey Semiconductor |
2N6381 | Trans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin TO-63 | New Jersey Semiconductor |
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