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HFP2N90 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFP2N90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFP2N90 자료 제공

부품번호 HFP2N90 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
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HFP2N90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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HFP2N90 데이터시트, 핀배열, 회로
Feb 2014
HFP2N90
900V N-Channel MOSFET
BVDSS = 900 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 2.2 A
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 17 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25ఁ͚͑
– Continuous (TC = 100ఁ͚͑
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
900
2.2
1.4
8.8
ρ30
170
2.2
10.7
4.5
PD
TJ, TSTG
TL
Power Dissipation (TC = 25ఁ͚͑
͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͑͞͵ΖΣΒΥΖ͑ΒΓΠΧΖ͑ͣͦఁ͑
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
107
0.85
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/ఁ͑
ఁ͑
ఁ͑
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșCS
RșJA
Junction-to-Case
Parameter
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
1.17
--
62.5
Units
ఁ͠Έ͑
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͑͢͝ͷΖΓ͑ͣͥ͑͢͡




HFP2N90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 䈜㻌㻺㼛㼠㼑㼟㻌㻦
1. VGS = 0 V
2. ID ȝ $
0.8
-100 -50 0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature [oC]
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101
100 Ps
1 ms
10 ms
100 100 ms
DC
10-1
10-2
100
* Notes :
1.
T
C
=
25
oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101
102
103
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
* Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 1.1 A
-50 0
50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
10-2
10-5
䈜㻌㻺㼛㼠㼑㼟㻌㻦
1. Zș -&(t) = 1.17 䉝㻛㼃 㻌㻹㼍㼤㻚
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * Zș -&(t)
PDM
single pulse
t1
t2
10-4
10-3
10-2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͑͢͝ͷΖΓ͑ͣͥ͑͢͡

4페이지










HFP2N90 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTYYWGOhPG
9.90±0.20
ij±0.20
4.50±0.20
1.30±0.20
1.27±0.20
1.52±0.20
2.54typ
2.54typ
2.40±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͑͢͝ͷΖΓ͑ͣͥ͑͢͡

7페이지


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