Datasheet.kr   

HFP8N60U 데이터시트 PDF




SemiHow에서 제조한 전자 부품 HFP8N60U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 HFP8N60U 자료 제공

부품번호 HFP8N60U 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 SemiHow
로고 SemiHow 로고


HFP8N60U 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 8 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

HFP8N60U 데이터시트, 핀배열, 회로
HFP8N60U
600V N-Channel MOSFET
FEATURES
‰ Originative New Design
‰ Superior Avalanche Rugged Technology
‰ Robust Gate Oxide Technology
‰ Very Low Intrinsic Capacitances
‰ Excellent Switching Characteristics
‰ Unrivalled Gate Charge : 22.0 nC (Typ.)
‰ Extended Safe Operating Area
‰ Lower RDS(ON) ȍ 7\S #9GS=10V
‰ 100% Avalanche Tested
August 2012
BVDSS = 600 V
RDS(on) typ ȍ
ID = 7.5 A
TO-220
1
23
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings TC=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
Drain Current
– Continuous (TC = 25)
– Continuous (TC = 100)
– Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
600
7.5
4.7
30.0
ρ30
280
7.5
15.0
4.5
PD
Power Dissipation (TC = 25)
- Derate above 25
150
1.2
TJ, TSTG
TL
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
-55 to +150
300
Thermal Resistance Characteristics
Symbol
RșJC
RșCS
RșJA
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
Typ.
--
0.5
--
Max.
0.82
--
62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
Units
/W
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͢͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͣ͑͢͡




HFP8N60U pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (continued)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
 Note :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250PA
-50 0 50 100 150
T , Junction Temperature [oC]
J
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
102
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 Ps
101 1 ms
10 ms
100 ms
100 DC
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Note :
1. VGS = 10 V
2. ID = 3.75 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
8
6
4
10-1
10-2
100
* Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101
102
103
VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
150
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
* Notes :
1. ZTJC(t) = 0.82 oC/W Max.
2. Duty Factor, D=t1/t2
3. TJM - TC = PDM * ZTJC(t)
10-2
0.02
0.01
10-5
single pulse
PDM
10-4
10-3
10-2
t1
t2
10-1
100
t1, Square Wave Pulse Duration [sec]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͢͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͣ͑͢͡

4페이지










HFP8N60U 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
{vTYYWGOhPG
9.90±0.20
ij±0.20
4.50±0.20
1.30±0.20
1.27±0.20
1.52±0.20
2.54typ
2.54typ
2.40±0.20
0.80±0.20
0.50±0.20
క͑΄Ͷ;ͺ͹΀Έ͑΃Ͷ·͟Ͳ͢͝ͲΦΘΦΤΥ͑ͣͣ͑͢͡

7페이지


구       성 총 8 페이지수
다운로드[ HFP8N60U.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
HFP8N60S

N-Channel MOSFET

SemiHow
SemiHow
HFP8N60U

N-Channel MOSFET

SemiHow
SemiHow

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵