|
|
|
부품번호 | ACE1512E 기능 |
|
|
기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | ACE Technology | ||
로고 | |||
ACE1512E
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection
Description
The ACE1512E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. They
offer operation over a wide gate drive range from 1.8V to 8V.
It is ESD protected.
Features
• VDS (V)=20V
• ID=6.5A (VGS=4.5V)
• RDS(ON)<21mΩ (VGS=4.5V)
• RDS(ON)<25mΩ (VGS=2.5V)
• RDS(ON)<33mΩ (VGS=1.8V)
• ESD Protected : 2000V
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current (Continuous)*AC TA=25℃
TA=70℃
Drain Current (Pulsed)*B
Power Dissipation
TA=25℃
TA=70℃
Operating temperature / storage temperature
Symbol Ratings Unit
VDSS 20 V
VGSS ±8 V
6.5
ID
A
5.2
IDM 24 A
1
PD
W
0.64
TJ/TSTG -55~150 ℃
Packaging Type
TSOT-23-3
VER 1.1 1
ACE1512E
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with ESD Protection
Typical Performance Characteristics
Qg (nC)
Gate-Charge Characteristics
VDS (Volts)
Capacitance Characteristics
VDS (Volts)
Maximum Forward Biased Safe Operating Area
Pulse Width(s)
Single Pulse Power Rating Junction-to-Case
Pulse Width(s)
Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
VER 1.1 4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ ACE1512E.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ACE1512E | N-Channel MOSFET | ACE Technology |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |