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부품번호 | KTC4347 기능 |
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기능 | NPN Transistor | ||
제조업체 | WEJ | ||
로고 | |||
RoHS
KTC4347
KTC4373 TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM: 500 mW (Tamb=25℃)
.,LCollector current
ICM: 800
Collector-base voltage
mA
OV(BR)CBO:
120 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55℃ to +150℃
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
OEmitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
Collector-emitter saturation voltage
EBase-emitter voltage
LTransition frequency
ECollector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
Test conditions
Ic=1mA, IE=0
Ic=10mA, IB=0
IE=1mA, IC=0
VCB=120V, IE=0
VEB=5V, IC=0
VCE=5V, IC=100mA
IC=500mA, IB=50mA
VCE=5V, IC=500mA
VCE=5V, IC=500mA
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
120 V
120 V
5V
0.1 µA
0.1 µA
80 240
1V
1V
120 MHz
30 pF
JCLASSIFICATION OF hFE
ERank
WRange
O
80-160
Y
120-240
Marking
CO
CY
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구 성 | 총 1 페이지수 | ||
다운로드 | [ KTC4347.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KTC4347 | NPN Transistor | WEJ |
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