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KTD1898 데이터시트 PDF




WEJ에서 제조한 전자 부품 KTD1898은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KTD1898 자료 제공

부품번호 KTD1898 기능
기능 NPN Transistor
제조업체 WEJ
로고 WEJ 로고


KTD1898 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KTD1898 데이터시트, 핀배열, 회로
RoHS
KTD1898
KTD1898 TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES
Power dissipation
TPCM: 500 mW (Tamb=25)
.,LCollector current
ICM:
Collector-base voltage
1A
OV(BR)CBO:
100 V
Operating and storage junction temperature range
CTJ, Tstg: -55to +150
SOT-89
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
2
3
ICELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25unless otherwise specified)
Parameter
NCollector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
OEmitter-base breakdown voltage
RCollector cut-off current
TEmitter cut-off current
CDC current gain
Collector-emitter saturation voltage
ETransition frequency
LCollector output capacitance
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
hFE(1)
VCE(sat)
fT
Cob
Test conditions
Ic=100µA, IE=0
Ic=1mA, IB=0
IE=100µA, IC=0
VCB=80V, IE=0
VEB=4V, IC=0
VCE=3V, IC=500mA
IC=500mA, IB=20mA
VCE=10V, IC=50mA
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
MIN TYP MAX UNIT
100 V
80 V
5V
1 µA
1 µA
70 400
0.4 V
100 MHz
20 pF
ECLASSIFICATION OF hFE(1)
JRank
ERange
WMarking
O
70-140
ZO
Y
120-240
ZY
GR
200-400
ZG
WEJ ELECTRONIC CO. Http:// www.wej.cn E-mail:[email protected]





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