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TSF40H200C 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TSF40H200C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TSF40H200C 자료 제공

부품번호 TSF40H200C 기능
기능 Trench Schottky Rectifier
제조업체 Taiwan Semiconductor
로고 Taiwan Semiconductor 로고


TSF40H200C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TSF40H200C 데이터시트, 핀배열, 회로
Trench Schottky Rectifier
FEATURES
- Patented Trench Schottky technology
- Excellent high temperature stability
- Low forward voltage
- Low power loss/ High efficiency
- High forward surge capability
- Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
TYPICAL APPLICATIONS
Trench Schottky barrier rectifier are designed for high frequency
miniature switched mode power supplies such as adapters, lighting
and on-board DC/DC converters.
TSF40H100C thru TSF40H200C
Taiwan Semiconductor
ITO-220AB
MECHANICAL DATA
Case: ITO-220AB
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: As marked
Mounting torque: 0.56 Nm max.
Weight: 1.7 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
TSF40H
100C
TSF40H
120C
TSF40H
150C
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum average forward rectified
current
per device
per diode
VRRM
IF(AV)
100
120 150
40
20
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load per diode
IFSM
250
Voltage rate of change (Rated VR)
Instantaneous forward voltage per
diode ( Note1 )
IF = 10A
IF = 20A
IF = 10A
IF = 20A
Instantaneous reverse current per diode at rated
reverse voltage
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Typical thermal resistance per diode
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse Test with Pulse Width=300μs, 1% Duty Cycle
dV/dt
VF
VF
IR
RθJC
TJ
TSTG
10000
TYP. MAX.
0.56
-
0.66 0.72
0.48
-
0.59 0.65
- 500
15 45
TYP.
0.60
0.74
0.53
0.63
-
15
MAX. TYP.
- 0.71
0.84 0.79
- 0.59
0.71 0.67
500 -
45 3
3
- 55 to +150
- 55 to +150
MAX.
-
0.89
-
0.77
150
15
TSF40H
200C
200
TYP.
0.75
0.83
0.62
0.70
-
3
MAX.
-
0.93
-
0.80
150
15
UNIT
V
A
A
V/μs
V
μA
mA
°C/W
°C
°C
Document Number: DS_D1411064
Version: B14




TSF40H200C pdf, 반도체, 판매, 대치품
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
ITO-220AB
MARKING DIAGRAM
P/N
G
YWW
F
= Specific Device Code
= Green Compound
= Date Code
= Factory Code
TSF40H100C thru TSF40H200C
Taiwan Semiconductor
DIM.
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
Unit (mm)
Min
4.30
2.50
2.30
0.46
6.30
9.60
3.00
0.95
0.50
2.40
14.80
-
12.60
-
Max
4.70
3.16
2.96
0.76
6.90
10.30
3.40
1.45
0.90
3.20
15.50
4.10
13.80
1.80
2.41 2.67
Unit (inch)
Min Max
0.17 0.19
0.10 0.12
0.09 0.12
0.02 0.03
0.25 0.27
0.38 0.41
0.12 0.13
0.04 0.06
0.02 0.04
0.09 0.13
0.58 0.61
- 0.16
0.50 0.54
- 0.07
0.09 0.11
Document Number: DS_D1411064
Version: B14

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