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AP55T10GI-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP55T10GI-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AP55T10GI-HF 자료 제공

부품번호 AP55T10GI-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP55T10GI-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP55T10GI-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP55T10GI-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
Simple Drive Requirement
Lower Gate Charge
Fast Switching Characteristics
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
D BVDSS
RDS(ON)
ID
S
Description
AP55T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast
switching performance. It provides the designer with an extreme efficient
device for use in a wide range of power applications.
The TO-220CFM package is widely preferred for all commercial-industrial
through hole applications. The mold compound provides a high isolation
voltage capability and low thermal resistance between the tab and the
external heat-sink.
GD S
100V
16.5mΩ
31.7A
TO-220CFM(I)
Absolute Maximum Ratings@Tj=25oC(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS Drain-Source Voltage
100 V
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
Gate-Source Voltage
Drain Current, VGS @ 10V
Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
+20
31.7
20
120
36.7
V
A
A
A
W
PD@TA=25
TSTG
TJ
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
1.92
-55 to 150
-55 to 150
W
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data and specifications subject to change without notice
Value
3.4
65
Units
/W
/W
1
201501292




AP55T10GI-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP55T10GI-HF
12
I D = 24 A
V DS =80V
10
8
6
4
2
0
0 30 60 90
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
f=1.0MHz
5000
4000
C iss
3000
2000
1000
0
1
C oss
C rss
5 9 13 17 21 25 29
V DS ,Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
1000
100
Operation in this area
limited by RDS(ON)
10us
100us
10 1ms
10ms
100ms
1
T c =25 o C
Single Pulse
1s
DC
0.1
0.01
0.1
1
10 100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
1
Duty factor=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
40
VG
30
QG
10V
20
QGS
QGD
10
0
25 50 75 100 125 150
T C , Case Temperature ( o C )
Fig 11. Drain Current v.s. Case Temperature
Charge
Q
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP55T10GI-HF.PDF 데이터시트 ]

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