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S-LRB521S-30T1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 S-LRB521S-30T1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S-LRB521S-30T1G 자료 제공

부품번호 S-LRB521S-30T1G 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


S-LRB521S-30T1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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S-LRB521S-30T1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
SCHOTTKY BARRIER DIODE
zApplictions
Low current rectification and high speed switching
zFeatures
Extremelysmall surface mounting type. (SC-79/SOD523)
Extremely Fast Switching Speed
Extremely Low Forward Voltage 0.5 V (max) @ IF = 200 mA
Low Reverse Current
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements;
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zConstruction
Silicon epitaxial planar
z We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
LRB521S-30T1G
S-LRB521S-30T1G
1
2
SOD523/SC-79
1
Cathode
2
Anode
DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION
Device
LRB521S-30T1G
S-LRB521S-30T1G
LRB521S-30T3G
S-LRB521S-30T3G
Marking
5M
5M
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)
Parameter
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Peak forward surge current*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VR
IO
IFSM
Tj
Tstg
Limits
30
200
1
125
-40~+125
*60Hz for 1cycle.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA= 25°C)
Parameter
Symbol Min.
Forward voltage
Reverse current
VF -
IR -
Typ
-
-
Unit
V
mA
A
°C
°C
Max.
0.50
30
Unit
V
µΑ
Conditions
IF=200mA
VR=10V
Rev.O 1/3





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