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LRB550V-30T1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 LRB550V-30T1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 LRB550V-30T1G 자료 제공

부품번호 LRB550V-30T1G 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


LRB550V-30T1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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LRB550V-30T1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Schottky barrier diode
LRB550V-30T1GG
zApplications
G eneral rectification
zFeatures
1) Small surface mounting type.
2) L ow VF, L ow I R
3) High reliability.
4 ) We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
5) S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements;
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
zConstruction
Silicon epitaxial planar
zDevice Marking and Ordering Information
Device
LRB550V-30T1G
S-LRB550V-30T1G
LRB550V-30T3G
S-LRB550V-30T3G
Marking
SD
SD
Shipping
3000/Tape&Reel
10000/Tape&Reel
LRB550V-30T1G
S-LRB550V-30T1G
1
2
SOD– 323
1
CATHODE
2
ANODE
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VRM
VR
Io
IFSM
Tj
Tstg
60Hz for 1
Limits
30
30
0.5
2
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
VF1
VF2
IR
Min.
-
-
-
Typ. Max.
- 0.39
- 0.6 0
- 30
Unit Conditions
V IF=100mA
V IF=700mA
µA VR=10V
Rev.O 1/3





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