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S-LSI1013LT1G 데이터시트 PDF




LRC에서 제조한 전자 부품 S-LSI1013LT1G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S-LSI1013LT1G 자료 제공

부품번호 S-LSI1013LT1G 기능
기능 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
제조업체 LRC
로고 LRC 로고


S-LSI1013LT1G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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S-LSI1013LT1G 데이터시트, 핀배열, 회로
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
LSI1013LT1G
S-LSI1013LT1G
FEATURES
D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V Rated
D Gate-Source ESD Protected: 2000 V
D High-Side Switching
D Low On-Resistance: 1.2 W
D Low Threshold: 0.8 V (typ)
D Fast Switching Speed: 14 ns
D S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
BENEFITS
D Ease in Driving Switches
D Low Offset (Error) Voltage
D Low-Voltage Operation
D High-Speed Circuits
D Low Battery Voltage Operation
APPLICATIONS
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,
Displays, Memories
D Battery Operated Systems
D Power Supply Converter Circuits
D Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
3
1
2
SOT-23
Gate 1
3 Drain
Source 2
(Top View)
MARKING DIAGRAM
3
ORDERING INFORMATION
Device
LSI1013LT1G
S-LSI1013LT1G
LSI1013LT3G
S-LSI1013LT3G
Marking
Shipping
A1 3000/Tape&Reel
A1 10000/Tape&Reel
A1
12
A1 = Specific Device Code
M = Month Code
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 150_C)b
Pulsed Drain Currenta
Continuous Source Current (diode conduction)b
TA = 25_C
TA = 85_C
VDS
VGS
ID
IDM
IS
-400
-300
-275
-20
"6
-1000
-350
-275
-250
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
PD
TJ, Tstg
ESD
225
55 to 150
2000
Notes
d. Pulse width limited by maximum junction temperature.
e. Surface Mounted on FR4 Board.
Unit
V
mA
mW
_C
V
Rev .O 1/6




S-LSI1013LT1G pdf, 반도체, 판매, 대치품
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LSI1013LT1G , S-LSI1013LT1G
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS NOTED)
1000
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
5
TJ = 125_C
4
100
TJ = 25_C
10
TJ = –55_C
3
2
ID = 200 mA
1
ID = 350 mA
1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD – Source-to-Drain Voltage (V)
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
0.3
0
0
3.0
12345
VGS – Gate-to-Source Voltage (V)
IGSS vs. Temperature
6
0.2
0.1
–0.0
ID = 0.25 mA
2.5
2.0
1.5 VGS = 4.5 V
–0.1
1.0
–0.2
0.5
–0.3
–50 –25
0 25 50 75
TJ – Temperature (_C)
100 125
0.0
–50 –25
0 25 50 75
TJ – Temperature (_C)
100 125
BVGSS vs. Temperature
7
6
5
4
3
2
1
0
–50 –25
0 25 50 75
TJ – Temperature (_C)
100 125
Rev .O 4/6

4페이지












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