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AP02N60I-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP02N60I-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP02N60I-HF 자료 제공

부품번호 AP02N60I-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP02N60I-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP02N60I-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP02N60I-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
100% Avalanche Test
Fast Switching Characteristic
D
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
S
Description
AP02N60 series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The TO-220CFM package is widely preferred for all commercial-
industrial through hole applications. The mold compound provides
a high isolation voltage capability and low thermal resistance
between the tab and the external heat-sink.
BVDSS
RDS(ON)
ID4
600V
8Ω
2A
G DS
TO-220CFM(I)
Absolute Maximum Ratings@Tj=25o.C(unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current, VGS @ 10V4
Drain Current, VGS @ 10V4
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy2
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
600
+30
2
1.26
3.6
22
80
-55 to 150
-55 to 150
V
V
A
A
A
W
mJ
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
5.7
65
Unit
/W
/W
1
201502255




AP02N60I-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP02N60I-HF
16
I D =2A
12
V DS =320V
V DS =400V
8 V DS =480V
1000
100
f=1.0MHz
C iss
4
0
0 4 8 12 16 20
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Gate Charge Characteristics
C oss
C rss
10
1 5 9 13 17 21 25 29
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
10 1
Duty factor=0.5
1
100us
0.2
1ms
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
1 10
10ms
100ms
1s
DC
100 1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
.
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t , Pulse Width (s)
0.1
1
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig10. Effective Transient Thermal Impedance
VDS
90%
10%
VGS
td(on) tr
td(off) tf
VG
10V
QGS
QG
QGD
Charge
Q
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
4

4페이지












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다운로드[ AP02N60I-HF.PDF 데이터시트 ]

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