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AP04N70BI-A-HF 데이터시트 PDF




Advanced Power Electronics에서 제조한 전자 부품 AP04N70BI-A-HF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AP04N70BI-A-HF 자료 제공

부품번호 AP04N70BI-A-HF 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 Advanced Power Electronics
로고 Advanced Power Electronics 로고


AP04N70BI-A-HF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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AP04N70BI-A-HF 데이터시트, 핀배열, 회로
Advanced Power
Electronics Corp.
AP04N70BI-A-HF
Halogen-Free Product
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
100% Avalanche Test
Fast Switching Characteristic
Simple Drive Requirement
RoHS Compliant & Halogen-Free
G
D
S
BVDSS
RDS(ON)
ID4
650V
2.4Ω
4A
Description
AP04N70B series are from Advanced Power innovated design and
silicon process technology to achieve the lowest possible on-
resistance and fast switching performance. It provides the designer
with an extreme efficient device for use in a wide range of power
applications.
The TO-220CFM package is widely preferred for all commercial-
industrial through hole applications. The mold compound provides
a high isolation voltage capability and low thermal resistance
between the tab and the external heat-sink.
G
DS
TO-220CFM(I)
Absolute Maximum Ratings@Tj=25oC. (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Rating
Units
VDS
VGS
ID@TC=25
ID@TC=100
IDM
PD@TC=25
EAS
IAR
TSTG
TJ
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current, VGS @ 10V4
Drain Current, VGS @ 10V4
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature Range
650
+30
4
2.5
15
33
0.26
8
4
-55 to 150
-55 to 150
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
Thermal Data
Symbol
Parameter
Rthj-c
Maximum Thermal Resistance, Junction-case
Rthj-a
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient
Data & specifications subject to change without notice
Value
3.8
65
Unit
/W
/W
1
201501085




AP04N70BI-A-HF pdf, 반도체, 판매, 대치품
AP04N70BI-A-HF
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
25 50 75 100 125 150
T c , Case Temperature ( o C )
Fig 5. Maximum Drain Current v.s.
Case Temperature
.
40
30
20
10
0
0 50 100 150
T c , Case Temperature ( o C )
Fig 6. Typical Power Dissipation
100
10
1
0.1
T c =25 o C
Single Pulse
0.01
1
10
100
V DS (V)
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
1000
10000
1
DUTY=0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
PDM
t
T
Duty factor = t/T
Peak Tj = PDM x Rthjc + TC
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Pulse Width (s)
Fig 7. Maximum Safe Operating Area
Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
4

4페이지










AP04N70BI-A-HF 전자부품, 판매, 대치품
MARKING INFORMATION
AP04N70BI-A-HF
A
04N70BI
YWWSSS
Part Number
Option
Package Code
Date Code (YWWSSS)
YLast Digit Of The Year
WWWeek
SSSSequence
.
7

7페이지


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