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GBU8D 데이터시트 PDF




GeneSiC에서 제조한 전자 부품 GBU8D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GBU8D 자료 제공

부품번호 GBU8D 기능
기능 Silicon Bridge Rectifier
제조업체 GeneSiC
로고 GeneSiC 로고


GBU8D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GBU8D 데이터시트, 핀배열, 회로
GBU8A thru GBU8G
Single Phase Glass Passivated
Silicon Bridge Rectifier
VRRM = 50 V - 400 V
IO = 8 A
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• High case dielectric strength of 1500 VRMS
• Glass passivated chip junction
• Ideal for printed circuit boards
• High surge overload rating
• High temperature soldering guaranteed: 260C/ 10
seconds, 0.375 (9.5mm) lead length
• Not ESD Sensitive
Mechanical Data
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Terminals: Plated leads, solderable per MIL-STD-750 Method 2026.
Mounting position: Any
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
VRRM
VRMS
VDC
Tj
Tstg
GBU8A
50
35
50
-55 to 150
-55 to 150
GBU Package
GBU8B
100
70
100
-55 to 150
-55 to 150
GBU8D
200
140
200
-55 to 150
-55 to 150
GBU8G
400
280
400
-55 to 150
-55 to 150
Unit
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load
For capacitive load derate current by 20%
Parameter
Symbol
Conditions
GBU8A
Maximum average forward rectified
current 1,2
Peak forward surge current
Maximum instantaneous forward
voltage drop per leg
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per leg
Rating for fusing
Typical junction capacitance per
leg 3
Typical thermal resistance per leg 1,2
IO
IFSM
VF
IR
I2t
Cj
RΘJA
RΘJL
Tc = 100 °C
tp = 8.3 ms, half sine
IF = 8 A
Ta = 25 °C
Ta = 125 °C
t < 8.3 ms
8.0
200
1.1
5
500
166
211
21
2.2
1 - Device mounted on 82 mm x 82 mm x 3 mm Al plate heatsink
2 - Recommended mounted position is to bolt down device on a heatsink with silicon
thermal compond for maximum heat transfer using #6 screw.
3 - Measured at 1.0 MHz and applied reverse bias of 4.0 V
GBU8B
8.0
200
1.1
5
500
166
211
21
2.2
GBU8D
8.0
200
1.1
5
500
166
211
21
2.2
GBU8G
8.0
200
1.1
5
500
166
211
21
2.2
Unit
A
A
V
μA
A2sec
pF
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/
1





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