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부품번호 | TSM850N06CX 기능 |
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기능 | N-Channel Power MOSFET / Transistor | ||
제조업체 | Taiwan Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
TSM850N06CX
60V N-Channel Power MOSFET
SOT-23
Pin Definition:
1. Gate
2. Source
3. Drain
Key Parameter Performance
Parameter
Value
VDS
RDS(on) (max)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
60
85
100
Qg 9.3
Unit
V
mΩ
nC
Ordering Information
Part No.
Package
Packing
TSM850N06CX RFG SOT-23
3kpcs / 7” Reel
Note: “G” denotes for Halogen- and Antimony-free as those which contain
<900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and
<1000ppm antimony compounds
Block Diagram
Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current (Note 1)
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)
Power Dissipation @ TC = 25°C
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
TC = 25°C
TC = 100°C
VDS
VGS
ID
IDM
EAS
PD
TJ
TSTG
Thermal Performance
Parameter
Symbol
Thermal Resistance - Junction to Ambient
RӨJA
N-Channel MOSFET
Limit
60
±20
6.1
3.9
24.4
25
1.56
150
-50 to +150
Limit
80
Unit
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
°C
Unit
°C/W
1/5 Version: A14
TSM850N06CX
60V N-Channel Power MOSFET
SOT-23 Mechanical Drawing
Unit: Millimeters
Marking Diagram
85 = Device Code
Y = Year Code
M = Month Code for Halogen Free Product
(O=Jan, P=Feb, Q=Mar, R=Apl, S=May, T=Jun, U=Jul, V=Aug, W=Sep,
X=Oct, Y=Nov, Z=Dec)
L = Lot Code
4/5 Version: A14
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
TSM850N06CX | N-Channel Power MOSFET / Transistor | Taiwan Semiconductor |
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