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TSM950N10 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TSM950N10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TSM950N10 자료 제공

부품번호 TSM950N10 기능
기능 N-Channel Power MOSFET / Transistor
제조업체 Taiwan Semiconductor
로고 Taiwan Semiconductor 로고


TSM950N10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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TSM950N10 데이터시트, 핀배열, 회로
TSM950N10
Taiwan Semiconductor
N-Channel Power MOSFET
100V, 6.5A, 95mΩ
FEATURES
100% avalanche tested
Fast switching
Pb-free plating
RoHS compliant
Halogen-free mold compound
APPLICATION
Networking
Load Switch
Lighting
KEY PERFORMANCE PARAMETERS
PARAMETER
VALUE UNIT
VDS
RDS(on) (max)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Qg
100
95
110
9.3
V
mΩ
nC
SOT-223
Notes: Moisture sensitivity level: level 3. Per J-STD-020
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
Drain-Source Voltage
VDS 100
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Note 1)
Pulsed Drain Current (Note 2)
TC = 25°C
TC = 100°C
VGS
ID
IDM
±20
6.5
4.1
26
Total Power Dissipation @ TC = 25°C
PDTOT
9
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
- 55 to +150
UNIT
V
V
A
A
W
°C
THERMAL PERFORMANCE
PARAMETER
SYMBOL
LIMIT
UNIT
Junction to Case Thermal Resistance
RӨJC
14 °C/W
Junction to Ambient Thermal Resistance
RӨJA
62 °C/W
Notes: RӨJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The case thermal reference is defined
at the solder mounting surface of the drain pins. RӨJA is guaranteed by design while RӨCA is determined by the user’s board
design. RӨJA shown below for single device operation on FR-4 PCB in still air
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TA = 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
SYMBOL MIN
TYP
MAX UNIT
Document Number: DS_P0000183
1
Version: A15




TSM950N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CHARACTERISTICS CURVES
(TC = 25°C unless otherwise noted)
Continuous Drain Current vs. TC
TSM950N10
Taiwan Semiconductor
Gate Charge
TC, Case Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Qg, Gate Charge (nC)
Threshold Voltage vs. Junction Temperature
TJ, Junction Temperature (°C)
Maximum Safe Operating Area
TJ, Junction Temperature (°C)
Normalized Thermal Transient Impedance Curve
VDS, Drain to Source Voltage (V)
Document Number: DS_P0000183
4
Square Wave Pulse Duration
(s)
Version: A15

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