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DXT3150 데이터시트 PDF




Diodes에서 제조한 전자 부품 DXT3150은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DXT3150 자료 제공

부품번호 DXT3150 기능
기능 NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
제조업체 Diodes
로고 Diodes 로고


DXT3150 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DXT3150 데이터시트, 핀배열, 회로
DXT3150
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
Epitaxial Planar Die Construction
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)
"Green" Device (Note 2)
Mechanical Data
Case: SOT89-3L
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.
UL Flammability Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208
Marking & Type Code Information: See Page 3
Ordering Information: See Page 3
Weight: 0.072 grams (approximate)
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
SOT89-3L
COLLECTOR
3 E 2,4
C4 2 C
1B
TOP VIEW
1
BASE
3
EMITTER
Schematic and Pin Configuration
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Value
50
25
7
5
Unit
V
V
V
A
Thermal Characteristics
Characteristic
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @TA = 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
PD
RθJA
Tj, TSTG
Value
1
125
-55 to +150
Unit
W
°C/W
°C
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Symbol
V(BR)CEO
ICBO
IEBO
Min
25
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
Base-Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
VBE(SAT)
hFE
250
150
50
fT
Cobo
Typ
220
Max
1.0
1.0
0.35
0.50
1.10
1.40
550
50
Unit Test Conditions
V IC = 10mA, IB = 0
μA VCB = 50V, IE = 0
μA VEB = 7.0V, IC = 0
V IC = 3.0A, IB = 150mA
IC = 4.0A, IB = 200mA
V IC = 3.0A, IB = 150mA
IC = 4.0A, IB = 200mA
IC = 500mA, VCE = 2.0V
IC = 2.0A, VCE = 2.0V
IC = 5.0A, VCE = 2.0V
MHz IC = 50mA, VCE = 6.0V,
f = 100MHz
pF VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
Notes:
1. No purposefully added lead.
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 3 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can be found on our
website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle 2%.
DS31157 Rev. 3 - 2
1 of 3
www.diodes.com
DXT3150
© Diodes Incorporated





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