Datasheet.kr   

1N6263W 데이터시트 PDF




Taiwan Semiconductor에서 제조한 전자 부품 1N6263W은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 1N6263W 자료 제공

부품번호 1N6263W 기능
기능 Surface Mount Schottky Barrier Diode
제조업체 Taiwan Semiconductor
로고 Taiwan Semiconductor 로고


1N6263W 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

1N6263W 데이터시트, 핀배열, 회로
1N6263W
Surface Mount Schottky Barrier Diode
Features
Low forward voltage drop
Guard Ring Construction for Transient
Protection
Fast switching time
Low Reverse Capacitance
Surface mount package ideally suited for
automatic insertion
Mechanical Data
Voltage Range
60 Volts
400m Watts Power Dissipation
SOD-123
0.053(1.35)
Max.
0.022(0.55)
Typ. Min.
0.152(3.85)
0.140(3.55)
0.010(0.25)
Min.
0.112(2.85)
0.100(2.55)
Case: SOD-123, Plastic
Terminals: Solderable per MIIL-STD-202,
Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Date Code and Type Code
Type Code: SB
Weight: 0.01 grams (approx.)
0.006(0.15)
Typ. Min.
0.067(1.70)
0.55(1.40)
0.004(0.10)
Max.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings
Type Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Forward Continuous Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
@ t 1.0s
@ t = 10mS
Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)
Symbol
VRRM
VRWM
VR
VR(RMS)
IF
IFSM
Pd
RθJA
1N6263W
60
42
15
50
2.0
400
375
Operating and Storage Temperature Range
Electrical Characteristics
Type Number
Reverse Breakdown Voltage (Note 3) IR=10uA
Reverse Leakage Current
VR=50V
TJ, TSTG
Symbol
V(BR)
IR
-65 to + 175
Min Typ
60 _
__
Forward Voltage Drop
IF=1.0mA
IF=15mA
Junction Capacitance VR=0, f=1.0MHz
Reverse Recovery Time (Note 2)
VF
Cj
trr
__
_ 2.0
_ 1.0
Notes: 1. Valid Provided that Terminals are Kept at Ambient Temperature.
2. Reverse Recovery Test Conditions: IF=IR=5.0mA, Irr=0.1 x IR, RL=100Ω.
3. Test Period < 3000uS.
- 32 -
Max
_
200
0.41
1.0
_
_
Units
V
V
mA
mA
A
mW
K/W
OC
Units
V
nA
V
pF
nS





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ 1N6263W.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
1N6263

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE

STMicroelectronics
STMicroelectronics
1N6263

SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵