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부품번호 | RU1H35K 기능 |
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기능 | N-Channel Advanced Power MOSFET | ||
제조업체 | Ruichips | ||
로고 | |||
RU1H35K
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 100V/40A,
RDS (ON) =21mΩ(Typ.)@VGS=10V
• Super High Dense Cell Design
• 100% avalanche tested
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Pin Description
Applications
• High Speed Power Switching
GDS
TO251
D
G
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
Drain-Source Voltage
VGSS
Gate-Source Voltage
TJ Maximum Junction Temperature
TSTG
Storage Temperature Range
IS Diode Continuous Forward Current
Mounted on Large Heat Sink
①
IDP
300μs Pulse Drain Current Tested
②
ID
Continuous Drain Current(VGS=10V)
PD Maximum Power Dissipation
RθJC Thermal Resistance-Junction to Case
RθJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
Drain-Source Avalanche Ratings
③
EAS
Avalanche Energy, Single Pulsed
S
N-Channel MOSFET
Rating
Unit
TC=25°C
100
±25
175
-55 to 175
40
V
°C
°C
A
TC=25°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
160 A
40
A
30
97
W
48
1.55 °C/W
100 °C/W
90 mJ
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
1
www.ruichips.com
℃
RU1H35K
Typical Characteristics
Power Dissipation
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
100 10µs
100µs
10 1ms
10ms
DC
1
Drain Current
45
40
35
30
25
20
15
10
5 VGS=10V
0
25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (°C)
175
Drain Current
50
Ids=16A
40
30
20
0.1
0.01
0.1
TC=25°C
1 10 100 1000
VDS - Drain-Source Voltage (V)
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
1E-05
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
Square Wave Pulse Duration (sec)
RθJC=1.55°C/W
1
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
4
www.ruichips.com
4페이지 ℃
Package Information
E
b2
TO251
A
C1
RU1H35K
E1
3Xb 3Xb1
2Xe
c
A1
SYMBOL
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
MIN
2.220
0.890
0.550
0.760
5.200
0.460
0.450
5.950
4.200
6.400
4.750
8.900
1.900
0.900
MM
NOM
2.320
1.015
0.610
0.860
5.300
0.515
0.500
6.100
4.350
6.550
4.800
2.280 REF
9.200
2.095
0.950
MAX
2.420
1.140
0.670
0.960
5.400
0.570
0.550
6.250
4.500
6.700
4.850
9.500
2.290
1.000
MIN
0.087
0.035
0.022
0.030
0.205
0.018
0.018
0.234
0.165
0.252
0.187
0.350
0.075
0.035
INCH
NOM
0.091
0.040
0.024
0.034
0.209
0.020
0.020
0.240
0.171
0.258
0.189
0.090 REF
0.362
0.082
0.037
MAX
0.095
0.045
0.026
0.038
0.213
0.022
0.022
0.246
0.177
0.264
0.191
0.374
0.090
0.039
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
7
www.ruichips.com
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RU1H35K | N-Channel Advanced Power MOSFET | Ruichips |
RU1H35L | N-Channel Advanced Power MOSFET | Ruichips |
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