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RU1H35K 데이터시트 PDF




Ruichips에서 제조한 전자 부품 RU1H35K은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RU1H35K 자료 제공

부품번호 RU1H35K 기능
기능 N-Channel Advanced Power MOSFET
제조업체 Ruichips
로고 Ruichips 로고


RU1H35K 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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RU1H35K 데이터시트, 핀배열, 회로
RU1H35K
N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
• 100V/40A,
RDS (ON) =21mΩ(Typ.)@VGS=10V
• Super High Dense Cell Design
• 100% avalanche tested
• Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)
Pin Description
Applications
• High Speed Power Switching
GDS
TO251
D
G
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VDSS
Drain-Source Voltage
VGSS
Gate-Source Voltage
TJ Maximum Junction Temperature
TSTG
Storage Temperature Range
IS Diode Continuous Forward Current
Mounted on Large Heat Sink
IDP
300μs Pulse Drain Current Tested
ID
Continuous Drain Current(VGS=10V)
PD Maximum Power Dissipation
RθJC Thermal Resistance-Junction to Case
RθJA Thermal Resistance-Junction to Ambient
Drain-Source Avalanche Ratings
EAS
Avalanche Energy, Single Pulsed
S
N-Channel MOSFET
Rating
Unit
TC=25°C
100
±25
175
-55 to 175
40
V
°C
°C
A
TC=25°C
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
160 A
40
A
30
97
W
48
1.55 °C/W
100 °C/W
90 mJ
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
1
www.ruichips.com




RU1H35K pdf, 반도체, 판매, 대치품
RU1H35K
Typical Characteristics
Power Dissipation
120
100
80
60
40
20
0
0 25 50 75 100 125 150 175
TJ - Junction Temperature (°C)
Safe Operation Area
100 10µs
100µs
10 1ms
10ms
DC
1
Drain Current
45
40
35
30
25
20
15
10
5 VGS=10V
0
25 50 75 100 125 150
TJ - Junction Temperature (°C)
175
Drain Current
50
Ids=16A
40
30
20
0.1
0.01
0.1
TC=25°C
1 10 100 1000
VDS - Drain-Source Voltage (V)
10
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VGS - Gate-Source Voltage (V)
Thermal Transient Impedance
Duty=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
1E-05
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
Square Wave Pulse Duration (sec)
RθJC=1.55°C/W
1
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
4
www.ruichips.com

4페이지










RU1H35K 전자부품, 판매, 대치품
Package Information
E
b2
TO251
A
C1
RU1H35K
E1
3Xb 3Xb1
2Xe
c
A1
SYMBOL
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
MIN
2.220
0.890
0.550
0.760
5.200
0.460
0.450
5.950
4.200
6.400
4.750
8.900
1.900
0.900
MM
NOM
2.320
1.015
0.610
0.860
5.300
0.515
0.500
6.100
4.350
6.550
4.800
2.280 REF
9.200
2.095
0.950
MAX
2.420
1.140
0.670
0.960
5.400
0.570
0.550
6.250
4.500
6.700
4.850
9.500
2.290
1.000
MIN
0.087
0.035
0.022
0.030
0.205
0.018
0.018
0.234
0.165
0.252
0.187
0.350
0.075
0.035
INCH
NOM
0.091
0.040
0.024
0.034
0.209
0.020
0.020
0.240
0.171
0.258
0.189
0.090 REF
0.362
0.082
0.037
MAX
0.095
0.045
0.026
0.038
0.213
0.022
0.022
0.246
0.177
0.264
0.191
0.374
0.090
0.039
Ruichips Semiconductor Co., Ltd
Rev. A– APR., 2013
7
www.ruichips.com

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