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부품번호 | RQK0204TGDQA 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel MOS FET | ||
제조업체 | Renesas | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
RQK0204TGDQA
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on) = 100 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A)
• Low drive current
• High speed switching
• 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
Note: Marking is “TG”.
1
2
Preliminary Datasheet
R07DS0304EJ0500
Rev.5.00
Jan 10, 2014
3
D
G 1. Source
2 2. Gate
3. Drain
S
1
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse) Note1
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4: 40 x 40 x 1 mm)
Ratings
20
±12
2.3
8.0
2.3
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
R07DS0304EJ0500 Rev.5.00
Jan 10, 2014
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RQK0204TGDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
500
Pulse Test
Tc = 25°C
400
300
200 2.3 A
100
0.5 A
1.2 A
0.8 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
300
250 ID = 2.3 A
1.2 A
200
150 0.8 A
0.5 A
100
Pulse Test
VGS = 2.5 V
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = 10 V
–25°C
1
25°C
Tc = 75°C
0.1
0.01
0.01
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Preliminary
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1000
Pulse Test
Tc = 25°C
VGS = 2.5 V
100
4.5 V
10 V
10
0.1 1 10
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature
200
Pulse Test
VGS = 4.5 V
150
ID = 2.3 A
1.2 A
100
0.5 A 0.8 A
50
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
10000
Pulse Test
VGS = 0 V
1000 VDS = 20 V
100
10
1
0.1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
R07DS0304EJ0500 Rev.5.00
Jan 10, 2014
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4페이지 RQK0204TGDQA
Ordering Information
Orderable Part Number
Quantity
RQK0204TGDQATL-H 3000 pcs.
Preliminary
Shipping Container
φ178 mm reel, 8 mm Emboss taping
R07DS0304EJ0500 Rev.5.00
Jan 10, 2014
Page 7 of 7
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RQK0204TGDQA | Silicon N-Channel MOS FET | Renesas |
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